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LMG3425EVM-041

LMG3425R050 600-V 50-mΩ mit idealer Halbbrücken-Tochterkarte im Diodenmodus

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LMG3425EVM-041

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Überblick

Das LMG3425EVM-041 konfiguriert zwei GaN-FETs LMG3425R050 in einer Halbbrücke mit Latched-Überstromschutzfunktion und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen. Dieses EVM ist für den Betrieb mit größeren Systemen ausgelegt.

Merkmale
  • Eingangsspannungsbereich bis 600 V
  • Einfaches Open-Loop-Design für die Evaluierung der Leistung des LMG342XR0XX
  • Single/Dual-PWM-Eingang auf der Platine für PWM-Signal mit variabler Totzeit
  • Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutzfunktion
  • Komfortable Tastkopfpunkte für Logik- und Leistungsstufenmessungen mit Oszilloskop-Tastköpfen mit kurzer Massefeder
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3425R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus
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Evaluating LMG3425R050 GaN FET power stage

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LMG3425EVM-041 — LMG3425R050 600-V 50-mΩ mit idealer Halbbrücken-Tochterkarte im Diodenmodus

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Wozu benötige ich dies? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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LMG3425EVM-041 — LMG3425R050 600-V 50-mΩ mit idealer Halbbrücken-Tochterkarte im Diodenmodus

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Required
Wozu benötige ich dies? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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Vorrätig
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Typ Titel Neueste englische Version herunterladen Datum
Benutzerhandbuch LMG342XEVM-04X User Guide (Rev. B) PDF | HTML 30.01.2022
Zertifikat LMG3425EVM-041 EU Declaration of Conformity (DoC) 26.10.2020

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