LMG342X-BB-EVM

LMG342x – Evaluierungsmodul

LMG342X-BB-EVM

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Überblick

Das LMG342X-BB-EVM ist eine einfach zu handhabende Breakout-Platine zum Konfigurieren einer beliebigen LMG342xR0x0-Halbbrücken-Platine, z. B. LMG3422EVM-043, als Synchron-Abwärtswandler. Dieses Evaluierungsmodul (EVM) ermöglicht durch die Bereitstellung einer Leistungsstufe, Vorspannungsversorgung und Logikschaltung schnelle Messungen der Schaltleistung des Galliumnitrid (GaN)-Bausteins. Dieses EVM kann bis zu 12 A Ausgangsstrom liefern, wenn durch geeignetes Wärmemanagement (Zwangsluft, Niederfrequenzbetrieb usw.) gewährleistet ist, dass die maximale Betriebstemperatur nicht überschritten wird. Dieses EVM eignet sich nicht für Transientenmessungen, da es sich um eine Platine mit offenem Regelkreis handelt.

Es wird nur ein einzelner pulsweitenmodulierter Eingang benötigt. Die Erzeugung der komplementären pulsweitenmodulierten Signale und der entsprechenden Totzeit erfolgt auf der Platine. Tastkopfpunkte ermöglichen die Messung wichtiger Wellenformen von Logik- und Leistungsstufen über Oszilloskop-Tastköpfe mit kurzen Erdungsfedern.

Merkmale
  • Eingangsspannungsbereich bis 650V
  • Einfaches Open-Loop-Design für die Evaluierung der Leistung des LMG342XR0XX, LMG352XR0XX
  • Einfacher oder zweifacher PWM-Eingang auf der Platine für PWM-Signal mit variabler Totzeit
  • Komfortable Tastkopfpunkte für Logik- und Leistungsstufenmessungen mit Oszilloskop-Tastköpfen mit kurzer Massefeder
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3422R030 GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3425R030 GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus LMG3425R050 GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus LMG3426R030 GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung LMG3426R050 GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3522R030-Q1 GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3522R050 GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3526R030 GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3526R050 GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu
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  1. LMG342x GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG342x -Familie und gewünschte Tochterkarte bestellen
  2. Siehe Benutzerhandbuch für LMG342XEVM-04X

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LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card

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LMG342X-BB-EVM LMG342x – Evaluierungsmodul PFC23338EVM-107 3,6 kW brückenloses Einphasen-Totem-Pole-PFC-Referenzdesign mit E-Meter-Funktionalität
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LMG342X-BB-EVM LMG342x – Evaluierungsmodul PFC23338EVM-107 3,6 kW brückenloses Einphasen-Totem-Pole-PFC-Referenzdesign mit E-Meter-Funktionalität
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Designdateien

Technische Dokumentation

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Typ Titel Neueste englische Version herunterladen Datum
Benutzerhandbuch LMG342XEVM-04X User Guide (Rev. B) PDF | HTML 30.01.2022
Zertifikat LMG342X-BB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 27.10.2020

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