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Diseño y desarrollo

LMG3650EVM-113

Tarjeta secundaria LMG3650R025

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LMG3650EVM-113

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Información general

El módulo de evaluación (EVM) LMG3650R025 configura dos transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) LMG3650R025 en un medio puente con protección contra sobretemperatura, protección contra sobrecorriente ciclo a ciclo, función de protección contra desaturación de cortocircuito bloqueado y todos los circuitos periféricos auxiliares necesarios para probar la alimentación de polarización aislada o la alimentación de arranque. Esta EVM está diseñada para trabajar en conjunto con sistemas más grandes.

Funciones
  • Tensión de entrada de hasta 650 V
  • Diseño simple de circuito abierto para evaluar el rendimiento del LMG3650R025
  • Protección contra sobrecorriente ciclo a ciclo y protección contra desaturación contra cortocircuitos con informe de fallo
  • Protección contra sobretemperatura con informe de fallos
  • Puntos de sonda prácticos para mediciones lógicas y de etapas de potencia optimizadas para mediciones de puntas y barriles
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
LMG3650R025 — Transistor de efecto de campo (FET) de GaN en encapsulado TOLL de 650 V y 25 mΩ con conductor int
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LMG342X-BB-EVM — Placa madre de evaluación LMG342x

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Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

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* EVM User's guide LMG3650R025 Evaluation Module PDF | HTML 20/12/2024
Certificado LMG3650EVM-113 EU Declaration of Conformity (DoC) 16/12/2024

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