PMP21309

Diseño de referencia de convertidor resonante de 24 V/500 W con FET de GaN de alto voltaje

Información general

Este diseño de referencia es un diseño de referencia del convertidor resonante de alta frecuencia. La tensión de salida se regula a 24 V con rangos de tensión de entrada de 380 V a 400 V utilizando un tanque resonante con frecuencia de resonancia de 500 kHz. Este diseño alcanza una eficiencia máxima del 97.9 % mediante el uso del dispositivo GaN de alta tensión de TI, LMG3410R070, junto con los controladores UCD3138A y UCD7138, que optimizan el tiempo muerto y la conducción del rectificador sincrónico (SR).

Funciones
  • Frecuencia resonante de 500 kHz
  • Conversión de 390 V a 24 V/500 W
  • 97.9 % de eficiencia en la entrada 390 V
  • Dimensiones de la etapa de potencia X Y de 1.9 in × 3 in
Opciones de tensión de salida PMP21309.1
Tensión de entrada (Min) (V) 380
Tensión de entrada (Máx) (V) 400
Tensión de salida (Nom) (V) 24
Amperímetro de salida (Máx) (A) 21
Potencia de salida (W) 504
Aislado/Sin aislar Isolated
Tipo de entrada DC
Topología Half Bridge- LLC
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Se desarrolló una placa completamente integrada únicamente para pruebas y validación de rendimiento y no está disponible para la venta.

Archivos de diseño y productos

Archivos de diseño

Descargue archivos de sistema listos para usar para acelerar su proceso de diseño.

TIDT033.PDF (2775 KB)

Resultados de las pruebas del diseño de referencia, incluidos gráficos de eficiencia, requisitos previos para las pruebas, etc.

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Descripción detallada del diseño para la instalación de componentes

TIDRXJ4.ZIP (206 KB)

Lista completa de componentes de diseño, designadores de referencia y números de fabricantes/piezas

TIDRXJ8.ZIP (2232 KB)

Archivos para modelos 3D o dibujos 2D de componentes de IC

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Fichero de diseño que contiene información sobre la capa física de la PCB de diseño

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Archivo de trazado de capas de PCB para generar el trazado del diseño de PCB

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Diagrama esquemático detallado del diseño y los componentes

Productos

Incluye productos de TI en el diseño y posibles alternativas.

Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

LMG3411R070GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado

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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

LMG3410R070GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados

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Amplificadores operacionales de precisión (Vos < 1 mV)

OPA376Amp op de precisión (0,025 mV), bajo ruido (7,5 nV/rtHz), baja corriente de reposo (760 uA)

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Reguladores lineales y de baja salida (LDO)

LP3985Regulador de voltaje de 150 mA, de baja caída, con derivación y habilitación

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Controladores CA/CC y CC/CC (FET externo)

UCD7138Controlador rectificador síncrono monocanal con detección de conducción del diodo del cuerpo

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Controladores CA/CC y CC/CC (FET externo)

UCD3138AControlador digital UCD3138A altamente integrado para potencia aislada

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Sensores de temperatura analógicos

LM20Sensor de temperatura de salida analógica de ±1.5 °C

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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

LMG3411R050GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados

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Documentación técnica

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Tipo Título Descargar la versión más reciente en inglés Fecha
* Informe de prueba 24-V/500-W Resonant Converter Reference Design With TI HV GaN FET 5/11/2018

Recursos de diseño

Desarrollo de hardware

Tarjeta secundaria
LMG3410-HB-EVM Tarjeta secundaria LMG3410R070 de medio puente GaN de 600 V y 70 mΩ

Diseños de referencia

Diseño de referencia
PMP20306 Diseño de referencia de una fuente de alimentación de tres salidas de 200 V a 400 V (nominal) con de

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