PMP22089

Half-bridge point-of-load converter reference design with GaN technology

概要

このリファレンス・デザインは、入力範囲を縮小するために、ボード内トランスの巻線比を 5:1 から 3:1 に変更します。この基板は、24 ~ 32V の入力電圧を受け入れ、0.5V ~ 1.0V の出力電圧範囲で最大 40A の出力電流を供給します。このトポロジは、高い降圧比率を効率的にサポートすると同時に、十分な出力電流と制御しやすさも実現しています。 元の EVM は、LMG5200 GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージと TPS53632G ハーフ・ブリッジ・ポイント・オブ・ロード・コントローラを評価する目的で設計済みです。この基板は倍電流整流器を使用し、コンバータを単一段のハード・スイッチング・ハーフ・ブリッジとして実装します。  この基板は、LMG5200POLEVM-10 評価基板を再設計したものです。

特長
  • FPGA の PoL をサポートできる、低電圧、大電流能力
  • 複数の GaN FET を使用した高い電力密度
  • 平面トランス内蔵
出力電圧オプション PMP22089.1
Vin (Min) (V) 24
Vin (Max) (V) 32
Vout (Nom) (V) .85
Iout (Max) (A) 40
Output Power (W) 34
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Half Bridge- Hard Switched
??image.gallery.download_ja_JP?? 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。

設計ファイルと製品

設計ファイル

すぐに使用できるシステム・ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。

TIDT151.PDF (2737 K)

効率グラフや試験の前提条件などを含める、このリファレンス・デザインに関する試験結果

TIDM375.PDF (311 K)

設計レイアウトとコンポーネントを示した詳細な回路図

TIDM376.PDF (59 K)

設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト

TIDM377.PDF (198 K)

コンポーネントの配置を明示する詳細な設計レイアウト

TIDM379.ZIP (1606 K)

IC コンポーネントの 3D モデルまたは 2D 図面に使用するファイル

TIDCFQ2.ZIP (359 K)

PCB 設計の基板層に関する情報を記載した設計ファイル

TIDM378.PDF (1982 K)

PCB 設計レイアウトを生成するための PCB 基板層のプロット・ファイル

製品

設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。

PWM コントローラ

TPS53632G48V GaN DC/DC コンバータ向け、ハーフブリッジ D-CAP+ コントローラ

データシート: PDF | HTML
GaN (窒化ガリウム) IC

LMG520080V GaN ハーフ・ブリッジ出力段

データシート: PDF | HTML
N チャネル MOSFET

CSD16321Q55mm x 6mm の SON 封止、シングル、2.6mΩ、25V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

データシート: PDF | HTML
リアルタイム・クロック (RTC) とタイマ

LMC555低消費電力、高精度、3MHz の Fmax、世界最小の 555 タイマ

データシート: PDF | HTML
リニア・レギュレータと低ドロップアウト (LDO) レギュレータ

LP2992イネーブル搭載、250mA、16V、低ドロップアウト電圧レギュレータ

データシート: PDF | HTML
リニア・レギュレータと低ドロップアウト (LDO) レギュレータ

LP38693イネーブル搭載、500mA、10V、低ドロップアウト電圧レギュレータ

データシート: PDF | HTML
ローサイド・ドライバ

UCC275125V UVLO、分割出力対応、SON パッケージ封止、4A/8A、シングルチャネル・ゲート・ドライバ

データシート: PDF | HTML

技術資料

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* 試験報告書 Half-Bridge Point-of-Load Converter Reference Design With GAN Technology 2019年 12月 17日

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