LMG5200
- Integrated 15-mΩ GaN FETs and Driver
- 80-V Continuous, 100-V Pulsed Voltage Rating
- Package Optimized for Easy PCB Layout, Eliminating Need for Underfill, Creepage, and Clearance Requirements
- Very Low Common Source Inductance to Ensure High Slew Rate Switching Without Causing Excessive Ringing in Hard-Switched Topologies
- Ideal for Isolated and Non-Isolated Applications
- Gate Driver Capable of Up to 10 MHz Switching
- Internal Bootstrap Supply Voltage Clamping to Prevent GaN FET Overdrive
- Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
- Excellent Propagation Delay (29.5 ns Typical) and Matching (2 ns Typical)
- Low Power Consumption
The LMG5200 device, an 80-V, 10-A driver plus GaN half-bridge power stage, provides an integrated power stage solution using enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 80-V GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.
GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have near zero reverse recovery and very small input capacitance CISS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG5200 device is available in a 6 mm × 8 mm × 2 mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.
The TTL logic compatible inputs can withstand input voltages up to 12 V regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.
The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor. When used with the TPS53632G controller, the LMG5200 enables direct conversion from 48-V to point-of-load voltages (0.5-1.5 V).
技術資料
設計と開発
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LMG5200EVM-02 — LMG5200 GaN 電力段の評価基板
LMG5200POLEVM-10 — LMG5200 GaN 48V ～ 1V ポイント オブ ロード評価基板
LMG5200POLEVM-10 評価基板 (EVM) は、48V を 1V に変換するアプリケーションで、LMG5200 GaN 電力段と TPS53632G ハーフブリッジ ポイント オブ ロード コントローラを評価するための設計を採用しています。この評価基板 (EVM) は、48V を 1V に変換するコンバータを、倍電流整流器と組み合わせ、単一段のハード スイッチング ハーフブリッジとして実装しています。この評価基板 (EVM) は、36 ～ 75V の入力電圧と、最大 50A (...)
BOOSTXL-3PHGANINV — シャント ベースのインライン モーター位相電流センシング機能を搭載した、48V の 3 相インバータの評価基板
BOOSTXL-3PHGANINV 評価基板は、サーボ ドライブのような高精度ドライブを精密制御するために、高精度のインライン シャント ベース位相電流センシング機能を使用して、48V / 10A の 3 相 GaN インバータを実現します。
MathWorks MATLAB と Simulink の各サンプル モデルは以下の情報を記録しています：
LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
PMP22089 — GaN 技術採用のハーフブリッジ ポイント オブ ロード コンバータ リファレンス デザイン
PMP4486 — 3 出力、48Vin (入力電圧) デジタル POL のリファレンス デザイン
PMP4497 — LMG5200 48V ～ 1V/40A シングル ステージ コンバータのリファレンス デザイン
TIDA-00909 — 高速駆動向け 48V/10A 高周波 PWM 3 相 GaN インバータのリファレンス デザイン
TIDA-00913 — シャントベースのインラインモーター位相電流検出機能付き、48V 三相インバータのリファレンスデザイン
TIDM-02006 — 高速シリアルインターフェイス (FSI) 経由の分配型多軸サーボ駆動のリファレンス デザイン
TIDM-02007 — 1 つの MCU で実行する高速電流ループ (FCL) と SFRA を使用した 2 軸モーター ドライブのリファレンス デザイン
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| QFM (MOF) | 9 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。