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LMG2100R044

現行

具有整合式驅動器和防護功能的 100-V 4.4-mΩ 半橋 GaN FET

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產品規格表

LMG2100R044

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產品詳細資料

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

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* 資料表 LMG2100R044 100V, 35A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2024/3/15
技術文章 1kW 高密度 LLC 電源模組中使用的平面變壓器概觀 PDF | HTML Download English Version PDF | HTML 2025/8/28
Application brief GaN FET 在人形機器人中的應用 PDF | HTML Download English Version PDF | HTML 2025/2/5
技術文章 GaN 可推動電子設計轉型的 4 種中電壓應用 PDF | HTML Download English Version PDF | HTML 2024/2/20

設計與開發

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開發板

LMG2100EVM-078 — LMG2100 評估模組

LMG2100 評估模組 (EVM) 是一款精巧且易於使用的功率級產品，可配置成降壓轉換器、升壓轉換器或其它使用半橋的轉換器拓撲。此 EVM 配備具有兩個 100V 4.4-mΩ GaN FET 的 LMG2100 半橋電源模組。
使用指南: PDF | HTML
支援產品和硬體
有庫存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
模擬型號

LMG2100 SIMPLIS Model

SNOM797.ZIP (87 KB) - SIMPLIS 模型
支援產品和硬體
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支援產品和硬體
參考設計

PMP23340C2K — 使用 C2000™ MCU 的 48V 至 12V GaN 型 1.1kW 1/8 磚型電源模組參考設計

此參考設計展示了高效能 GaN 如何為中間匯流排轉換器實現高效率和小尺寸。
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參考設計

PMP23340UCD — 使用數位電源隔離控制器的 48V 至 12V GaN 型 1.1kW 1/8 磚型電源模組參考設計

此參考設計展示了高效能 GaN 如何使用 UCD3138ARJAT 數位電源隔離控制器為中間匯流排轉換器實現高效率和小尺寸。
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參考設計

PMP23611 — 採用 GaN 半橋功率級的 48V 輸入、250W 汽車級兩相降壓轉換器參考設計

此參考設計可為汽車先進駕駛輔助系統 (ADAS)、車載資訊娛樂系統及儀錶板應用提供動力。工作範圍涵蓋完整汽車級電壓，最高可達 60V。該設計在 20VIN 至 60VIN 輸入電壓範圍內可實現 92% 至 96% 的峰值轉換效率，並在 2700mm2 的電路面積上達成高功率密度。結果驗證了該設計在各項輸入電壓與負載條件下的穩定性、熱響應表現以及全範圍效率等關鍵指標。它同時顯示，在 25% 至 75% 負載暫態切換與 50% 至 100% 負載暫態切換過程中，電壓波動幅度約為 5%（包含過衝與未達目標現象）。
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參考設計

PMP31349 — 具有 GaN 開關的 30V 至 60V 輸入、240W 降壓轉換器參考設計

此參考設計為從額定 48V 電池輸入（範圍 30V 至 60V）產生穩壓 12V 輸出的電源供應器。電路專為 20A 連續輸出電流所設計。LM5148-Q1 降壓控制器透過整合式閘極驅動器，向 LMG2100R044 半橋 GaN 功率級提供切換訊號。
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參考設計

PMP41068 — 利用 GaN 技術的 100W D 類音訊放大參考設計

此參考設計會展示使用 GaN HEMT 的單端 D 類功率級。此設計會使用 LMG2100R044 作為電源開關，工作頻率為 1MHz。 

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參考設計

TIDA-010042 — 400-W GaN 式 MPPT 充電控制器和功率最佳化工具參考設計

此參考設計為一款適用於 12V 與 24V 電池的最高功率點追蹤 (MPPT) 太陽能充電控制器，可當作未來的功率最佳化工具使用。此精巧型參考設計針對中小型功耗太陽能充電器設計，可搭配 15V 至 60V 太陽能面板模組、12V 或 24V 電池運作，並可提供高達 16A 的輸出電流。此設計使用降壓轉換器將面板電壓降壓至電池電壓。具有內部整合驅動器的半橋功率級是由微控制器單元 (MCU) 控制，使用擾動及觀察方式計算最大功率點。太陽能 MPPT 充電控制器是專為現實環境考量而設計，其中包括反向電池保護、軟體可編程警報與指示，以及突波與 ESD 防護。
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參考設計

TIDA-010933 — GaN 型 1.6kW、雙向微型逆變器參考設計

此參考設計展示了一款具有儲能功能的四輸入雙向 1.6kW GaN 型微型逆變器。
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參考設計

TIDA-010936 — 適用於整合式馬達驅動的 48V/16A 小型三相 GaN 逆變器參考設計

此參考設計展示了高功率密度 12V 至 60V 三相功率級，其使用三個 LMG2100R044 100V、35A 氮化鎵 (GaN) 半橋，且具有整合式 GaN FET、驅動器和自舉二極體，專為馬達整合式伺服驅動器與機器人應用所設計。使用 IN241A 電流感測放大器或 AMC0106M05 功能性隔離 ΔΣ 調變器，可實現精準的相位電流感測。同時測量直流鏈路與相位電壓，以驗證先進的無感測器設計，例如 InstaSPINFOC™。此設計提供相容於 TI BoosterPack™ 的 3.3V I/O 介面，可連接至 C2000™ MCU LaunchPad™ 開發套件或 Sitara™ (...)
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封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
WQFN-FCRLF (RAR) 16 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

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