JAJSGE3F October   2018  – April 2021 INA592

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性：G = 1/2
    6. 7.6 電気的特性：G = 2
    7. 7.7 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 基本的な電源と信号の接続
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 動作電圧
          2. 9.2.1.2.2 オフセット電圧トリミング
          3. 9.2.1.2.3 入力電圧範囲
          4. 9.2.1.2.4 容量性負荷駆動能力
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 追加アプリケーション
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.5 電気的特性：G = 1/2

TA = 25℃、VS = ±2.25V～±18V、VCM = VOUT = VS/2、RL = 10kΩ をグランドに接続、REF ピンをグランドに接続 (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
オフセット電圧 (RTO)(1)
VOS 入力オフセット電圧 RTO、VS = ±2.25V～±3V、VCM = –3V ±14 ±40 µV
RTO、VS = ±3V～±18V ±14 ±40
dVOS/dT 入力オフセット電圧ドリフト ±0.7 ±2.0 µV/℃
PSRR 電源電圧変動除去比 VS = ±3V～±18V ±0.5 ±5 µV/V
入力電圧
VCM 同相電圧 VO = 0V 3[(V–) –0.1]
–2VREF		 3(V+) –2VREF V
CMRR 同相電圧除去比 RTO、3 [(V−) – 0.1V)]
≤ VCM ≤ 3 [(V+) – 3V]		 88 100 dB
TA = –40℃～+125℃ 82 90
RTO、3 [(V+) – 1.5V)]
≤ VCM ≤ 3 [(V+))]		 88 100
TA = –40℃～+125℃ 72 90
入力インピーダンス(2)
zid 差動  VO = 0V 24 kΩ
zic 同相 9 kΩ
ゲイン
G 初期 1/2 V/V
GE ゲイン誤差 VO = –10V～+10V、VS = ±15V ±0.01 ±0.03 %
ゲイン・ドリフト(3) ±0.2 ±0.5 ppm/℃
ゲインの非直線性 VO = –10V～+10V、VS = ±15V 1 ppm
出力
VO 出力電圧スイング 正レール (V+) – 170 (V+) – 220 mV
負レール (V−) + 190 (V−) + 220
ISC 短絡電流 ±65 mA
ノイズ
En 出力電圧ノイズ f = 0.1Hz～10Hz、RTO 3 μVpp
en 出力電圧ノイズ密度 f = 1kHz、RTO 18 nV/√Hz
周波数特性
BW 小信号 -3dB 帯域幅 2.0 MHz
SR スルーレート 18 V/µs
tS セトリング・タイム 最終値の 0.1% まで、VO = 10V 刻み 1 µs
最終値の 0.01% まで、VO = 10V 刻み 1.3
THD+N 全高調波歪 + ノイズ f = 1kHz、VO = 2.8VRMS 0.00038 %
ノイズ・フロア、RTO 帯域幅 80kHz、VO = 3.5VRMS -116 dB
tDR 過負荷復帰時間 200 ns
電源
IQ 静止電流 IO = 0mA 1.1 1.2 mA
TA = –40℃～+125℃ 1.5 mA
(1) アンプの入力バイアスとオフセット電流の影響を含みます。
(2) 抵抗は、抵抗値比率が調整されていますが、絶対値で ±20% の誤差があります。
(3) ウェハー・テストにより 95% の信頼性レベルの仕様になっています。