JAJSGE3F October 2018 – April 2021 INA592
PRODUCTION DATA
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | ||
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オフセット電圧 (RTO)(1) | |||||||
VOS | 入力オフセット電圧 | VS = ±2.25V~±3V、 VCM = –1.5V |
±28 | ±80 | µV | ||
VS = ±3V~±18V | ±28 | ±80 | |||||
dVOS/dT | 入力オフセット電圧ドリフト | ±1.4 | ±4 | µV/℃ | |||
PSRR | 電源電圧変動除去比 | ±1 | ±5 | µV/V | |||
入力電圧 | |||||||
VCM | 同相電圧 | VO = 0V | 3/2[(V–) –0.1] -0.5VREF | 3/2(V+) -0.5VREF | V | ||
CMRR | 同相電圧除去比 | RTO、1.5 [(V−) – 0.1V)] ≤ VCM ≤ 1.5 [(V+) – 3V] |
82 | 94 | dB | ||
TA = –40℃~+125℃ | 80 | 84 | |||||
RTO、1.5[(V+) – 1.5V)] ≤ VCM ≤ 1.5(V+) |
82 | 94 | |||||
TA = –40℃~+125℃ | 65 | 84 | |||||
入力インピーダンス(2) | |||||||
zid | 差動 | VO = 0V | 12 | kΩ | |||
zic | 同相 | 9 | kΩ | ||||
ゲイン | |||||||
G | 初期 | 2 | V/V | ||||
GE | ゲイン誤差 | VO = –10V~+10V、VS = ±15V | ±0.01 | ±0.03 | % | ||
ゲイン・ドリフト(4) | ±0.25 | ±0.5 | ppm/℃ | ||||
ゲインの非直線性 | VO = –10V~+10V、VS = ±15V | 1 | ppm | ||||
出力 | |||||||
VO | 出力電圧スイング | 正レール | (V+) – 130 | (V+) – 180 | mV | ||
負レール | (V−) + 140 | (V−) + 180 | |||||
ISC | 短絡電流 | ±65 | mA | ||||
ノイズ | |||||||
En | 出力電圧ノイズ | f = 0.1Hz~10Hz、RTO | 6 | μVpp | |||
en | 出力電圧ノイズ密度 | f = 1kHz、RTO | 36 | nV/√Hz | |||
周波数特性 | |||||||
BW | 小信号 -3dB 帯域幅 | 0.8 | MHz | ||||
SR | スルーレート | 18 | V/µs | ||||
tS | セトリング・タイム | 最終値の 0.1% まで、VO = 10V 刻み | 1.0 | µs | |||
最終値の 0.01% まで、VO = 10V 刻み | 1.7 | ||||||
THD+N | 全高調波歪 + ノイズ | f = 1kHz、VO = 2.8VRMS | 0.00066 | % | |||
ノイズ・フロア、RTO | 帯域幅 80kHz、VO = 3.5VRMS | -110 | dB | ||||
tDR | 過負荷復帰時間 | 200 | ns | ||||
電源 | |||||||
IQ | 静止電流 | IO = 0mA | 1.1 | 1.2 | mA | ||
TA = –40℃~+125℃ | 1.5 |