JAJSMJ6B november   2022  – july 2023 DRV8410

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 デバイスの比較
  7. 6 ピン構成および機能
  8. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 タイミング図
  9. 8 代表的特性
  10. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 外付け部品
    4. 9.4 機能説明
      1. 9.4.1 ブリッジの制御
        1. 9.4.1.1 並列ブリッジ・インターフェイス
      2. 9.4.2 電流レギュレーション
      3. 9.4.3 保護回路
        1. 9.4.3.1 過電流保護 (OCP)
        2. 9.4.3.2 サーマル・シャットダウン (TSD)
        3. 9.4.3.3 低電圧誤動作防止 (UVLO)
    5. 9.5 デバイスの機能モード
      1. 9.5.1 アクティブ・モード
      2. 9.5.2 低消費電力スリープ・モード
      3. 9.5.3 フォルト・モード
    6. 9.6 ピン配置図
      1. 9.6.1 ロジックレベル入力
  11. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
      1. 10.1.1 代表的なアプリケーション
        1. 10.1.1.1 ステッピング・モータ・アプリケーション
          1. 10.1.1.1.1 設計要件
          2. 10.1.1.1.2 詳細な設計手順
            1. 10.1.1.1.2.1 ステッピング・モータの速度
            2. 10.1.1.1.2.2 電流レギュレーション
            3. 10.1.1.1.2.3 ステッピング・モード
              1. 10.1.1.1.2.3.1 フル・ステッピング動作
              2. 10.1.1.1.2.3.2 ハーフ・ステッピング動作と高速減衰
              3. 10.1.1.1.2.3.3 ハーフ・ステッピング動作と低速減衰
          3. 10.1.1.1.3 アプリケーション曲線
        2. 10.1.1.2 デュアル BDC モータ・アプリケーション
          1. 10.1.1.2.1 設計要件
          2. 10.1.1.2.2 詳細な設計手順
            1. 10.1.1.2.2.1 モータ電圧
            2. 10.1.1.2.2.2 電流レギュレーション
            3. 10.1.1.2.2.3 センス抵抗
          3. 10.1.1.2.3 アプリケーション曲線
        3. 10.1.1.3 熱に関する注意事項
          1. 10.1.1.3.1 最大出力電流
          2. 10.1.1.3.2 消費電力
          3. 10.1.1.3.3 熱性能
            1. 10.1.1.3.3.1 定常状態熱性能
            2. 10.1.1.3.3.2 過渡熱性能
        4. 10.1.1.4 標準的なモータ・ドライバのピン配置によるマルチソーシング
  12. 11電源に関する推奨事項
    1. 11.1 バルク容量
    2. 11.2 電源とロジックのシーケンシング
  13. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
    2. 12.2 レイアウト例
  14. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントのサポート
      1. 13.1.1 関連資料
    2. 13.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 13.3 コミュニティ・リソース
    4. 13.4 商標
  15. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • PWP|16
  • RTE|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.5 電気的特性

1.65V ≤ VVM ≤ 11V、–40℃ ≤ TJ ≤ 150℃ (特に記述のない限り)。標準値は TJ = 27℃、VVM = 5V の場合
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
電源 (VM)
IVMQ VM スリープ・モード電流 nSLEEP = 0V、VVM = 5V、TJ = 27℃ 4 30 nA
IVM VM アクティブ・モード電流 xIN1 = 3.3V、xIN2 = 0V、VVM = 5V 1.3 2.5 mA
tWAKE ターンオン時間 スリープ・モードからアクティブ・モードまでの遅延 100 μs
tSLEEP ターンオフ時間 アクティブ・モードからスリープ・モードまでの遅延時間 5 μs
ロジック・レベル入力 (nSLEEP、AIN1、AIN2、BIN1、BIN2)
VIL 入力ロジック Low 電圧 0 0.4 V
VIH 入力ロジック High 電圧 1.45 5.5 V
VHYS_nSLEEP nSLEEP 入力ヒステリシス 100 mV
VHYS_logic ロジック入力ヒステリシス (nSLEEP を除く) 50 mV
IIL 入力ロジック Low 電流 VxINx = 0V -1 1 µA
IIH,nSLEEP 入力論理 High 電流 VnSLEEP = 5V 14 µA
IIH 入力論理 High 電流 VxINx = 5V 20 70 µA
RPD,nSLEEP 入力プルダウン抵抗 500 kΩ
RPD 入力プルダウン抵抗 100 kΩ
tDEGLITCH 入力ロジックのグリッチ除去 50 ns
オープン・ドレイン出力 (nFAULT)
VOL 出力論理 Low 電圧 IOD = 5mA 0.3 V
IOZ 出力論理 High 電流 VOD = 5V -1 1 µA
ドライバ出力 (AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2)
RHS_DS(ON) ハイサイド MOSFET オン抵抗 IOUTx = 0.2A 400 mΩ
RLS_DS(ON) ローサイド MOSFET オン抵抗 IOUTx = -0.2A 400 mΩ
VSD ボディ・ダイオード順方向電圧 IOUTx = -0.5A 1 V
tRISE 出力立ち上がり時間 VOUTx の VVM の 10% から 90% までの立ち上がり、VVM = 5V 100 ns
tFALL 出力立ち下がり時間 VOUTx の VVM の 90% から 10% までの立ち下がり、VVM = 5V 50 ns
tPD 入力から出力までの伝搬遅延 入力が 0.8V から VOUTx = 0.1 × VVM と交差、IOUTx = 1A 600 ns
tDEAD 出力デッドタイム 400 ns
電流レギュレーション (AISEN、BISEN)
VTRIP xISEN トリップ電圧 180 200 230 mV
tOFF 電流レギュレーション・オフ時間 20 µs
tBLANK 電流レギュレーション・ブランキング時間 1.8 µs
tDEG 電流レギュレーション・グリッチ除去時間 1 µs
保護回路
VUVLO 電源低電圧誤動作防止 (UVLO) 電源立ち上がり 1.6 V
電源立ち下がり 1.3 V
VUVLO_HYS 電源 UVLO ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 100 mV
tUVLO 電源低電圧グリッチ除去時間 VVM 立ち下がりから OUTx ディセーブルまで 10 µs
IOCP 過電流保護トリップ・ポイント 2.5 A
VOCP_ISEN ISEN ピンの過電流保護トリップ・ポイント 0.6 V
tOCP 過電流保護グリッチ除去時間 4.2 µs
tRETRY 過電流保護リトライ時間 1.6 ms
TTSD サーマル・シャットダウン温度 153 193 ℃
THYS サーマル・シャットダウン・ヒステリシス 18 ℃