JAJSL44 March   2023 DRV8952

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. ピン構成および機能
  6. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的な特性
  7. 詳細説明
    1. 7.1  概要
    2. 7.2  機能ブロック図
    3. 7.3  機能説明
    4. 7.4  独立のハーフブリッジ動作
    5. 7.5  電流検出とレギュレーション
      1. 7.5.1 電流検出とフィードバック
      2. 7.5.2 外付け抵抗による電流検出
      3. 7.5.3 電流レギュレーション
    6. 7.6  チャージ・ポンプ
    7. 7.7  リニア電圧レギュレータ
    8. 7.8  VCC 電圧電源
    9. 7.9  ロジック・レベル・ピンの図
    10. 7.10 保護回路
      1. 7.10.1 VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 7.10.2 VCP 低電圧誤動作防止 (CPUV)
      3. 7.10.3 ロジック電源パワーオン・リセット (POR)
      4. 7.10.4 過電流保護 (OCP)
      5. 7.10.5 サーマル・シャットダウン (OTSD)
      6. 7.10.6 nFAULT 出力
      7. 7.10.7 フォルト条件のまとめ
    11. 7.11 デバイスの機能モード
      1. 7.11.1 スリープ・モード (nSLEEP = 0)
      2. 7.11.2 動作モード
      3. 7.11.3 nSLEEP リセット・パルス
      4. 7.11.4 機能モードのまとめ
  8. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 ソレノイド負荷の駆動
        1. 8.1.1.1 ソレノイド・ドライバの代表的なアプリケーション
        2. 8.1.1.2 熱に関する計算
          1. 8.1.1.2.1 電力損失の計算
          2. 8.1.1.2.2 接合部温度の推定
        3. 8.1.1.3 アプリケーション特性の波形
      2. 8.1.2 ステッパ・モーターの駆動
        1. 8.1.2.1 ステッパ・ドライバの代表的なアプリケーション
        2. 8.1.2.2 電力損失の計算
        3. 8.1.2.3 接合部温度の推定
      3. 8.1.3 ブラシ付き DC モーターの駆動
        1. 8.1.3.1 ブラシ付き DC ドライバの代表的なアプリケーション
        2. 8.1.3.2 電力損失の計算
        3. 8.1.3.3 接合部温度の推定
        4. 8.1.3.4 単一のブラシ付き DC モーターの駆動
      4. 8.1.4 熱電冷却器 (TEC) の駆動
      5. 8.1.5 ブラシレス DC モーターの駆動
  9. パッケージの熱に関する考慮事項
    1. 9.1 DDW パッケージ
      1. 9.1.1 熱性能
        1. 9.1.1.1 定常状態熱性能
        2. 9.1.1.2 過渡熱性能
  10. 10電源に関する推奨事項
    1. 10.1 バルク容量
    2. 10.2 電源
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 PCB 材料に関する推奨事項
    3. 11.3 熱に関する注意事項
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 用語集
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 13.1 テープおよびリール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

電流検出とフィードバック

DDW パッケージの DRV8952 は、ハーフブリッジごとに 1 つ、合計 4 つの IPROPI 出力をサポートしています。IPROPI 出力は、次に示すように、各ハイサイド MOSFET の電流を表します。

式 1. IPROPI = IHS × AIPROPI

ここで、IHS はハイサイド MOSFET を流れる電流、AIPROPI は電流ミラーのゲインです。

比例電圧 (VIPROPI) を IPROPI ピンで生成するには、外付け抵抗 (RIPROPI) を介して、各 IPROPI ピンをグランドに接続する必要があります。これにより、標準のアナログ / デジタル・コンバータ (ADC) を使用して、RIPROPI 抵抗の両端の電圧降下として電流を測定できます。RIPROPI 抵抗は、すべてのコントローラ ADC を利用できるように、そのアプリケーションの負荷電流の期待値に基づいて値を調整できます。デバイスの内部にはクランプ回路が実装されており、VREF ピンの VVREF を基準として VIPROPI を制限し、出力過電流または想定外の大電流イベント時に外部 ADC を保護できます。IPROPI の電圧は、VREF の最大推奨値である 3.3V よりも低くします。

出力電流に対応する IPROPI 電圧は、次の式で計算できます。

式 2. VIPROPI (V) = IPROPI (A) × RIPROPI (Ω)
GUID-20220609-SS0I-VWBK-Q1FG-4RLFTR9JFBHW-low.svg図 7-1 内蔵電流検出回路

「電気的特性」表の AERR パラメータは、AIPROPI ゲインに関連する誤差です。この誤差は、IOUT 電流に加算されたオフセット誤差とゲイン誤差の複合的な影響を示しています。