JAJSO89B February 2023 – September 2023 LM2005
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
ほとんどのアプリケーションでは、外部ローサイド・パワー MOSFET のボディ・ダイオードが SH ノードをグランドにクランプします。場合によっては、基板の容量とインダクタンスに起因して、SHノードがグランドより数 V 低い電圧まで過渡的にスイングする可能性があり、外部ローサイド MOSFET のボディ・ダイオードがこのスイングをクランプするのが間に合わないこともあります。LM2005 の SH ピンを使用すると、仕様に違反しない限り、またこのセクションで説明した条件に従う限り、グランドを下回る値までスイングできます。
SH は常に GH より低い電位にする必要があります。GH を規定の条件よりも負にすると、寄生トランジスタがアクティブになり、BST 電源から過剰な電流が流れて、デバイスが損傷する可能性があります。GL と GND についても同じ関係があります。必要に応じて、GH と SH の間、または GL と GND の間でショットキー・ダイオードを外部に配置することにより、この種の過渡現象からデバイスを保護できます。ダイオードを有効にするために、デバイスのピンのできるだけ近くにダイオードを配置する必要があります。
ゲート・ドライバ・デバイスを適切に動作させるには、BST から SH へ、および GVDD から GND への低 ESR バイパス・コンデンサが必須です。直列インダクタンスを最小限に抑えるため、コンデンサはデバイスのリード直近に配置する必要があります。GL と GH からのピーク電流はかなり大きくなります。バイパス・コンデンサと直列インダクタンスは、デバイスのリードに電圧リンギングを引き起こすため、信頼性の高い動作を実現するには、このリンギングを回避する必要があります。