JAJSVX5 December 2024 MCF8315D
PRODUCTION DATA
出力 FET 抵抗 (RDS(on)) で消費される電力が MCF8315D の電力散逸の大部分を占めます。
起動時およびフォルト状態では、FET 電流は通常の動作時 FET 電流よりもはるかに大きくなります。これらのピーク電流とその持続時間を考慮に入れる必要があります。
デバイスの合計電力散逸は、3 つのハーフ ブリッジそれぞれの消費電力の合計と、スタンバイ電力、LDO、および降圧レギュレータによる損失を含みます。
本デバイスが放散できる最大電力は、周囲温度と放熱の影響を受けます。
RDS(on) は温度とともに上昇するので、デバイスが発熱すると電力散逸が増大することに注意してください。ヒートシンクのサイズを決定する際には、この点を考慮に入れてください。
各損失の計算式を以下の表 9-3 に示します。
損失の種類 | MCF8315D |
|---|---|
スタンバイ消費電力 | Pstandby = VM x IVM_TA |
LDO | BUCK_PS_DIS = 1b の場合、PLDO = (VM-VAVDD) x IAVDD BUCK_PS_DIS = 0b の場合、PLDO = (VBK-VAVDD) x IAVDD |
FET の導通 | PCON = 3 x (IRMS(FOC))2 x Rds,on(TA) |
FET のスイッチング | PSW = 3 x IPK(FOC) x VPK(FOC) x trise/fall x fPWM |
ダイオード | Pdiode = 3 x IPK(FOC) x Vdiode x tdead x fPWM |
降圧 | PBK = 0.11 x VBK x IBK (ηBK = 90%) |