概要

SiC MOSFET や IGBT のようなパワー半導体を過飽和による損傷から保護することは、パワーエレクトロニクス設計において極めて重要です。これらのデバイスが本来の動作領域を超えて動作すると、過剰な電力損失が発生し、熱ストレスや故障につながる可能性があります。

脱飽和 (DESAT) 保護回路は、半導体素子の両端電圧を監視し、過電流が発生した際にシャットダウンすることで、コスト効率の高い保護を提供します。この記事では、DESAT 保護の仕組み、主要な回路構成要素、TPSI3133 絶縁型スイッチドライバを用いた DESAT 回路の設計方法について解説します。