JAJA873
April 2025
TPSI3100
,
TPSI3100-Q1
1
概要
商標
1
DESAT Protection が必要な理由
1.1
DESAT 保護に関する主な考慮事項
2
DESAT 回路の主なコンポーネント
2.1
回路のスタートアップ動作
3
設計例
3.1
設計要件
3.2
スレッショルドの式
3.3
与えられたパラメータ
3.4
指定したパラメータを関係式に挿入
3.5
未知の方程式を解く
3.6
式を満たすための抵抗の選択
3.7
ブランキング容量の決定
3.8
最終部品の値
3.9
ラボ テスト
4
クロージング
2
DESAT 回路の主なコンポーネント
ブロッキング ダイオード:IGBT/SiC MOSFET がオフのときは高電圧から回路を保護します。
ダイオードの順方向電流を制限するための電流制限抵抗 (R
LIM
)。
DESAT スレッショルド検出 (R
DIV1
、R
DIV2
):過飽和を検出するための電圧スレッショルドを定義します。
ブランキング容量 (C
BLK
):ノイズをフィルタし、誤トリガを防止します。ブランキング静電容量は誤検出の防止に役立ちますが、過電流イベント時に IGBT/SiC MOSFET のストレス時間を延ばすこともできます。