JAJA873 April   2025 TPSI3100 , TPSI3100-Q1

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1DESAT Protection が必要な理由
    1. 1.1 DESAT 保護に関する主な考慮事項
  5. 2DESAT 回路の主なコンポーネント
    1. 2.1 回路のスタートアップ動作
  6. 3設計例
    1. 3.1 設計要件
    2. 3.2 スレッショルドの式
    3. 3.3 与えられたパラメータ
    4. 3.4 指定したパラメータを関係式に挿入
    5. 3.5 未知の方程式を解く
    6. 3.6 式を満たすための抵抗の選択
    7. 3.7 ブランキング容量の決定
    8. 3.8 最終部品の値
    9. 3.9 ラボ テスト
  7. 4クロージング

1.1 DESAT 保護に関する主な考慮事項

DESAT 保護回路は通常、IGBT を使用して構成されます。これは、IGBT は飽和領域で電流 (IC) ごとに異なる電圧 (VCE) を示すためです。これにより、検出が容易になり、アクティブ領域へのより鮮明な遷移が可能になり、ダイ・サイズが大きくなったことから、一般的により多くの電力に対応できます (短絡耐性定格を備えているものも多くあります)。

DESAT は SiC MOSFET との組み合わせでも動作することができます。低電圧 MOSFET の問題は、誤検出を避けるために過電流のしきい値が通常の動作よりもかなり高めに設定されていることが多くある、回路が過電流イベントを検出する前に、MOSFET が過熱によって損傷してしまう可能性がある点です。

DESAT 保護を実装することで、エンジニアはパワー半導体を安全動作領域内に保つことができます。