JAJA905 June   2025 BQ25756

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1はじめに
  5. 2降圧と昇圧の各充電器での MOSFET の電力損失
    1. 2.1 降圧モードの損失
    2. 2.2 昇圧モードの損失
    3. 2.3 FET 損失の考えをまとめます
  6. 3ザイン カリキュレータ を使用した MOSFET の評価
    1. 3.1 デザイン カリキュレータ パラメータと MOSFET データ シートのパラメータの関連付け
    2. 3.2 設計カリキュレータ MOSFET の比較例
  7. 4BOM 評価
  8. 5まとめ
  9. 6参考資料

6 参考資料

  1. テキサス インスツルメンツ、『GaN が救世主です!』第 1 部：『ボディ ダイオードの逆回復』、技術記事
  2. テキサス インスツルメンツ、BQ25756： スタンドアロン/I2C 制御、1～14 セル双方 向昇降圧バッテリ充電コントローラ、データシート
  3. テキサス インスツルメンツ、BQ25750：スタンドアロン /I2C 制御、1～14 セル双方向降圧バッテリ充電コントローラ (ダイレクト パワー パス制御付き)、データ シート
  4. テキサス インスツルメンツ、BQ25758：I2C 制御、双方向昇降圧コントローラ (広電圧範囲対応)、データ シート
  5. テキサス インスツルメンツ、『BQ25756-Design-CALC』、デザイン カリキュレータ
  6. 『Vishay、パワー MOSFET の特性の測定』、アプリケーション ノート