JAJS367C January   2000  – January 2026 XTR115 , XTR116

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 推奨動作条件
    3. 6.3 熱に関する情報
    4. 6.4 電気的特性
    5. 6.5 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 逆電圧保護
      2. 7.3.2 過電圧サージ保護
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 使用上の注意
      1. 8.1.1 外部トランジスタ
      2. 8.1.2 最小スケール電流
      3. 8.1.3 入力のオフセット
      4. 8.1.4 最大出力電流
      5. 8.1.5 無線周波数干渉
      6. 8.1.6 回路の安定性
  10. 9 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス サポート
      1. 11.1.1 デバイスの命名規則
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 サポート・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 用語集
  13. 12改訂履歴
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

改訂履歴

Changes from Revision B (March 2022) to Revision C (January 2026)

  • ドキュメント全体にわたって採番方法を更新Go
  • 標準パッケージ情報を追加し、比較表を「デバイス比較」セクションに移動Go
  • デバイス フロー情報の説明を「仕様」に追加Go
  • 「電気的特性」の標準的なテスト条件に、すべてのチップの原産拠点 (CSO) を追加Go
  • 「電気的特性」の表に、バイアス電流およびバイアス電流と温度との関係について、製造プロセスの仕様を追加 Go
  • 「電気的特性」の表に、スルーレートに関する製造プロセス仕様を追加 Go
  • 「電気的特性」の表に、V‌REF 電圧精度および電圧精度と負荷との関係に関する製造プロセス仕様を追加 Go
  • 「電気的特性」の表に、V‌REG 電圧精度に関する製造プロセス仕様を追加 Go
  • 「電気的特性」の表に、V‌REG 電圧精度と電源との関係に関する製造プロセス仕様を追加 Go
  • 「電気的特性」の表に、静止電流に関する製造プロセス仕様を追加 Go
  • 「代表的特性」の標準的なテスト条件にすべてのチップの原産拠点 (CSO) を追加 Go
  • 「代表的特性」の絶対最大定格温度に合わせて、静止電流と温度との関係、リファレンス電圧と温度との関係、オーバースケール電流と温度との関係、および VREG 電圧と VREG 電流との関係を更新 Go
  • 「代表的特性」セクションに、静止電流と温度との関係に関する製造プロセス曲線を追加 Go
  • デバイスの機能モード セクションを追加Go
  • 「電源に関する推奨事項」および「レイアウト」セクションを追加Go
  • 「デバイス サポート」に型番製造プロセス情報の表を追加Go

Changes from Revision A (November 2003) to Revision B (March 2022)

  • ドキュメント全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
  • 「ピンの機能」、「ESD 定格」、「熱に関する情報」、「推奨動作条件」、「電気的特性」の各表、および「詳細説明」、「概要」、「機能ブロック図」、「機能説明」、「アプリケーションと実装」、「デバイスおよびドキュメントのサポート」、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」セクションを追加 Go
  • 「ピンの機能」の表を追加 Go
  • 「動作温度」の絶対最小値を「–55℃」から「–40℃」に変更し、温度仕様を「絶対最大定格」表に移動 Go
  • 「電気的特性」における「スパン誤差」仕様のテスト条件を「IIN = 250µA ~ 25mA」から「IOUT = 250µA ~ 25mA」に変更 Go
  • 「電気的特性」の VREF「電圧精度と負荷との関係」の標準仕様を ±100ppm/mAから ±200ppm/mA に変更 Go
  • 「基本的な回路接続」のアプリケーション図を変更 Go
  • トランジスタの消費電力と熱に関する懸念事項についての追加ガイダンスを組み込むために、「外部トランジスタ」のアプリケーション情報セクションを変更 Go
  • 「回路の安定性」アプリケーション情報セクションを追加 Go