JAJSPV5A December   2024  – November 2025 INA750B

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 シャント抵抗を内蔵
      2. 6.3.2 安全動作領域
      3. 6.3.3 短絡時間
      4. 6.3.4 温度ドリフト補正
      5. 6.3.5 強化された PWM 除去動作
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 リファレンス ピンによる出力の調整
        1. 6.4.1.1 単方向電流を測定するためのリファレンス ピンの接続
        2. 6.4.1.2 グランド基準の出力
        3. 6.4.1.3 双方向電流を測定するためのリファレンス ピンの接続
        4. 6.4.1.4 出力を中間電源電圧に設定する
      2. 6.4.2 外付け抵抗により可変ゲインを設定
        1. 6.4.2.1 調整可能なユニティ ゲイン
      3. 6.4.3 熱アラート機能
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1 合計誤差の計算
        1. 7.1.1.1 誤差発生源
        2. 7.1.1.2 リファレンス電圧除去比誤差
        3. 7.1.1.3 外部可変ゲイン誤差
        4. 7.1.1.4 合計誤差の例 1
        5. 7.1.1.5 合計誤差の例 2
        6. 7.1.1.6 合計誤差の例 3
        7. 7.1.1.7 合計誤差曲線
    2. 7.2 信号フィルタリング
    3. 7.3 代表的なアプリケーション
      1. 7.3.1 ハイサイド、高駆動、ソレノイド電流センス アプリケーション
        1. 7.3.1.1 設計要件
        2. 7.3.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.3.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.3.2 電流センス アンプによるスピーカの拡張と診断
        1. 7.3.2.1 設計要件
        2. 7.3.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.3.2.3 アプリケーション曲線
    4. 7.4 電源に関する推奨事項
    5. 7.5 レイアウト
      1. 7.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.5.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
      1. 8.1.1 関連資料
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.5 電気的特性

TA = 25℃、VS = 5V、ISENSE = IS+ = 0A、VCM = VIN– = 48V、VFB = VOUT (調整可能なゲイン = 1)、および VREF = VS /2 (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
入力
VCM 同相入力範囲 VIN+ = –4V ～ 110V、ISENSE = 0A、
TA = –40°C ～ +125°C		 -4 110 V
CMRR 同相除去比 VIN+ = –4V ～ 110V、ISENSE = 0A、
TA = –40°C ～ +125°C、INA750A 		 ±12.5 ±40 μA/V
VIN+ = –4V ～ 110V、ISENSE = 0A、
TA = –40°C ～ +125°C、INA750B 		 ±400 ±650
CMRR 同相除去比 f = 50kHz ±28 mA/V
Ios 入力換算オフセット電流誤差 ISENSE = 0A、INA750A  ±2.5 ±20 mA
ISENSE = 0A、INA750A、 
TA = –40℃ ～ +125℃、		 ±10 ±35
ISENSE = 0A、INA750B  ±32 ±105
ISENSE = 0A、INA750B、 
TA = –40℃ ～ +125℃、		 ±125
PSRR 電源除去比 VS = 2.7V ～ 5.5V、VREF = 1V、
ISENSE = 0A、INA750A 		 ±0.5 ±2.5 mA/V
VS = 2.7V ～ 5.5V、VREF = 1V、
ISENSE = 0A、INA750B 		 ±1.25 ±12.5
IB 合計入力バイアス電流 IB++ IB-、ISENSE = 0A 45 66 90 µA
IFB フィードバック電流 ISENSE = 0A ±2 nA
ISENSE = 0A、TA = –40°C ～ +125°C ±6
シャント抵抗を内蔵
RSHUNT 内部ケルビン シャント抵抗 IN+ から IN–、TA = 25℃ 0.8 mΩ
複数のピン抵抗 IS+ ～ IS-、TA = 25°C 0.800 0.960 1.200 mΩ
ピン間パッケージインダクタンス IS+ ～ IS-、TA = 25°C 2.5 nH
ISENSE 最大連続電流 TA = –40℃ ～ +125℃ ±25 A
シャントの短時間過負荷 ISENSE = 55A (5 秒間) ±0.01 %
シャントの温度サイクル –65°C ～ 150°C、500 サイクル ±0.05 %
半田熱に対するシャント抵抗 260°C 半田付け、10 秒 ±0.1 %
シャントの高温曝露  1000 時間、TA = 150℃ ±0.015 %
出力
G ゲイン INA750A、INA750B 40 mV/A
G システムゲイン誤差 (シャントとアンプ) GND + 50mV ≤ VOUT  ≤ VS – 200mV、
TA = 25°C、ISENSE = ±25A、INA750A 		 ±0.320 ±0.775 %
GND + 50mV ≤ VOUT  ≤ VS – 200mV、
TA = 25°C、ISENSE = ±5A、INA750A 		 ±0.05 ±0.40
(1)GND + 50mV ≤ VOUT ≤ VS – 200mV、
TA = 25°C、ISENSE = ±25A、INA750B 		 ±0.3 ±1
GND + 50mV ≤ VOUT ≤ VS – 200mV、
TA = 25℃、ISENSE = ±5A、INA750B 		±0.1 ±0.625
G システム ゲイン誤差ドリフト (シャントとアンプ) TA = –40℃ ～ +125℃、INA750A ±4 ±40 ppm/℃
TA = –40℃ ～ +125℃、INA750B ±10 ±100
電力係数ゲイン非線形性誤差 (2)GND + 10mV ≤ VOUT ≤ VS – 200mV 6 ppm/A2
RVRR リファレンス電圧除去比 (入力換算) VREF = 0.5V ～ 4.5V ±1.15 ±6.25 mA/V
最大の容量性負荷 発振が持続しないこと 0.5 nF
電圧出力
VS 電源レールまでスイング RL = 10kΩ ～ GND、VREF = VS、
調整可能なゲイン = 4、
TA = –40℃ ～ +125℃		 VS - 0.05 VS - 0.1 V
グランドまでスイング RL = 10kΩ ～ GND、VREF = GND、
調整可能なゲイン = 4、
TA = –40℃ ～ +125℃		 VGND + 5 VGND + 10 mV
グランドまでスイング RL = 10kΩ ～ GND、VREF = GND、
TA = –40℃ ～ +125℃		 VGND + 1 VGND + 5 mV
周波数応答
BW 帯域幅 (電流センス アンプのみ) -3dB 帯域幅、VFB = VOUT  1 MHz
-3dB 帯域幅、可変ゲイン = 4  0.5 MHz
伝搬遅延(3) VIN+、VIN- = 48V、可変ゲイン = 1、
VREF = 150mV、負荷ステップ = 0A ～ 20A、
出力が 1% までセトリング		 0.250 µs
総セトリング時間 (電流入力から OUT) VIN+、VIN- = 48V、可変ゲイン = 1、
VREF = 150mV、負荷ステップ = 0A ～ 20A、
出力が 1% までセトリング		 5 µs
SR スルー レート VFB = VOUT 1.8 V/μs
可変ゲイン = 4 1.5 V/μs
ノイズ
電流ノイズ密度 75 µA/√Hz
電源
IQ 静止時電流 3.5 4.25 mA
TA = –40°C ～ +125°C 4.5 mA
温度
TAlert サーマル アラート スレッショルド Rpull-up = 10kΩ、  160 °C
VLOAlert サーマル アラートの Low レベル出力電圧 Rpull-up = 10kΩ、 
200

 mV
(1) これには、電力係数のゲイン非線形誤差が含まれます
(2) ISENSE = ± 5A ～ ± 25A、VOUT = VREF ± 1V
(3) 伝搬遅延は、負荷ステップの 10% から最終出力セトリング値の 10% までの時間の差です