JAJSUL1C May   2024  – February 2025 DRV8161 , DRV8162

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報 (1pkg)
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング図
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 ゲート ドライバ
        1. 7.3.1.1 PWM 制御モード
          1. 7.3.1.1.1 2 ピン PWM モード
          2. 7.3.1.1.2 1 ピン PWM モード
          3. 7.3.1.1.3 独立 PWM モード
        2. 7.3.1.2 ゲート ドライブ アーキテクチャ
          1. 7.3.1.2.1 ティックルチャージポンプ （TCP）
          2. 7.3.1.2.2 デッドタイムとクロス導通防止（貫通電流保護）
      2. 7.3.2 ピン配置図
        1. 7.3.2.1 4 レベル入力ピン（CSAGAIN）
        2. 7.3.2.2 デジタル出力 nFAULT（DRV8162、DRV8162L）
        3. 7.3.2.3 デジタル入力/出力 nFAULT/nDRVOFF （DRV8161）
        4. 7.3.2.4 マルチレベル入力（IDRIVE1 およびIDRIVE2）
        5. 7.3.2.5 マルチレベルデジタル入力（VDSLVL）
        6. 7.3.2.6 マルチレベルデジタル入力 DT/MODE
      3. 7.3.3 ローサイド電流検出アンプ
        1. 7.3.3.1 双方向電流検出の動作
      4. 7.3.4 ゲート ドライバ シャットダウン シーケンス （nDRVOFF）
        1. 7.3.4.1 nDRVOFF 診断
      5. 7.3.5 ゲート ドライバ保護回路
        1. 7.3.5.1 GVDD 低電圧誤動作防止 (GVDD_UV)
        2. 7.3.5.2 MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
        3. 7.3.5.3 サーマル シャットダウン (OTSD)
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 DRV8161 の代表的なアプリケーション
      2. 8.2.2 DRV8162 と DRV8162L を使用した代表的なアプリケーション
      3. 8.2.3 外付け部品
    3. 8.3 レイアウト
      1. 8.3.1 レイアウトのガイドライン
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
      1. 8.4.1 バルク容量の決定
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス サポート
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
    8. 9.8 コミュニティ リソース
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

7.1 概要

DRV816xデバイスは、ブラシレスDC（BLDC）モーター、ブラシ付きDCモーター、ステッパモーター、スイッチリラクタンスモーター、ソレノイドなど、さまざまな電気機械的負荷に対する統合型100Vゲートドライバです。これらのデバイスでは、ハーフブリッジゲートドライバとトリクルチャージポンプ、ブートストラップダイオード、FET VDS監視機能を統合することで、システムコンポーネントの数、コスト、複雑性を削減します。FET VDSモニタは、電源、接地、またはモータ端子間の短絡から外部FETを保護します。DRV8161は、コントローラのADCへの電流フィードバック用に、低側双方向電流センスアンプを内蔵しています。ハーフブリッジアーキテクチャにより、ゲートドライバを電源段FETの近くに配置することができ、信号経路を簡素化し、放射EMIを低減し、PCBの面積を全体的に削減することができます。

本ゲート ドライバは外付け N チャネル ハイサイド / ローサイド パワー MOSFET をサポートしており、最大 1A (ソース) / 2A (シンク) のピーク電流を駆動することができます。内蔵ブートストラップダイオード、外付けブートストラップコンデンサ、内蔵トリクルチャージポンプにより、GVDDピンからハイサイドゲートドライブ電源電圧が生成されます。GVDDピンはローサイドゲートドライブ電源電圧を直接供給します。DRV8162およびDRV8162Lのデバイスバリエーションは、個別のGVDDおよびGVDD_LSピンを装備してセーフトルクオフ（STO）のシステム設計をサポートします。

スマート ゲート ドライブ アーキテクチャは出力ゲート駆動電流強度を動的に調整する機能を備えているため、ゲート ドライバはパワー MOSFET の VDS スイッチング速度を制御できます。このため、外付けゲート駆動抵抗およびダイオードが不要になり、BOM の部品点数、コスト、PCB 面積の低減が可能です。このアーキテクチャでは、ゲート駆動の短絡に対する保護、ハーフブリッジのデッド タイムの制御、外部パワー MOSFET の dV/dt 寄生ターンオンに対する保護のために、内部ステート マシンも使っています。

高いレベルでデバイスが統合されていることに加え、DRV816xのデバイスには、広範な保護機能も組み込まれています。これらの機能には、電源電圧低下ロックアウト（UVLO）、VDS過電流モニタリング（OCP）、過熱シャットダウン（OTSD）が含まれます。nFAULT ピンは、保護機能によって検出されたフォルト イベントを通知します。