JAJSUL1C May   2024  – February 2025 DRV8161 , DRV8162

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報 (1pkg)
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング図
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 ゲート ドライバ
        1. 7.3.1.1 PWM 制御モード
          1. 7.3.1.1.1 2 ピン PWM モード
          2. 7.3.1.1.2 1 ピン PWM モード
          3. 7.3.1.1.3 独立 PWM モード
        2. 7.3.1.2 ゲート ドライブ アーキテクチャ
          1. 7.3.1.2.1 ティックルチャージポンプ （TCP）
          2. 7.3.1.2.2 デッドタイムとクロス導通防止（貫通電流保護）
      2. 7.3.2 ピン配置図
        1. 7.3.2.1 4 レベル入力ピン（CSAGAIN）
        2. 7.3.2.2 デジタル出力 nFAULT（DRV8162、DRV8162L）
        3. 7.3.2.3 デジタル入力/出力 nFAULT/nDRVOFF （DRV8161）
        4. 7.3.2.4 マルチレベル入力（IDRIVE1 およびIDRIVE2）
        5. 7.3.2.5 マルチレベルデジタル入力（VDSLVL）
        6. 7.3.2.6 マルチレベルデジタル入力 DT/MODE
      3. 7.3.3 ローサイド電流検出アンプ
        1. 7.3.3.1 双方向電流検出の動作
      4. 7.3.4 ゲート ドライバ シャットダウン シーケンス （nDRVOFF）
        1. 7.3.4.1 nDRVOFF 診断
      5. 7.3.5 ゲート ドライバ保護回路
        1. 7.3.5.1 GVDD 低電圧誤動作防止 (GVDD_UV)
        2. 7.3.5.2 MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
        3. 7.3.5.3 サーマル シャットダウン (OTSD)
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 DRV8161 の代表的なアプリケーション
      2. 8.2.2 DRV8162 と DRV8162L を使用した代表的なアプリケーション
      3. 8.2.3 外付け部品
    3. 8.3 レイアウト
      1. 8.3.1 レイアウトのガイドライン
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
      1. 8.4.1 バルク容量の決定
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス サポート
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
    8. 9.8 コミュニティ リソース
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

8.2.3 外付け部品

表は、ゲートドライバの外部コンポーネントの推奨値を記載しています。

表 8-1 DRV816x の外付け部品
部品 ピン 1 ピン 2 推奨
CBST BST SH 1.0μF、外部 MOSFET の Qg のゲート電荷量の合計に応じて BSTと SH の間に VBST-SH 定格のコンデンサを配置します。CBST > 20 X Qg /（V GH - V SH）。最大CBSTは2.2μFです。
CGVDD GVDD GND 10μF、V GVDD定格コンデンサ。このコンデンサは、3相パワー段設計において、コンデンサを3つのデバイスすべてに十分に近づけて配置すれば、他の2つの DRV816x デバイスと共有することができます。起動時および PWM スイッチング時のブートストラップ動作による電圧降下については、ユーザーによる確認が必要です。
CGVDD_LS GVDD_LS GND 1μF、V GVDD定格コンデンサ
C VDRAIN VDRAIN GND 0.1μF、VVDRAIN定格コンデンサ
RnFAULT VCCIO nFAULT プルアップ抵抗 10K Ω
RIDRIVE1 IDRIVE1 GND ハードウェアインターフェイス抵抗器については、セクション 7.3.2.4を参照してください
CIDRIVE1 IDRIVE1 GND オプション：0.1nF、5V 定格コンデンサ
RIDRIVE2 IDRIVE2 GND ハードウェアインターフェイス抵抗器については、セクション 7.3.2.4を参照してください
CIDRIVE2 IDRIVE2 GND オプション：0.1nF、5V 定格コンデンサ
RVDSLVL VDSLVL GND ハードウェアインターフェイス抵抗器については、セクション 7.3.2.5を参照してください
CVDSLVL VDSLVL GND オプション：0.1nF、5V 定格コンデンサ
DVDSLVL VDSLVL MCU オプション：VDSLVL ピンと MCU GPIOの間のダイオード。
RDTMODE DT/ MODE GND ハードウェアインターフェイス抵抗器については、セクション 7.3.2.6を参照してください
CDTMODE DT/ MODE GND オプション：0.1nF、5V 定格コンデンサ
RCSAGAIN CSAGAIN GND ハードウェアインターフェイス抵抗器については、セクション 7.3.2.1を参照してください
CCSAGAIN CSAGAIN GND オプション：0.1nF、5V 定格コンデンサ
CCSAREF CSAREF GND 0.1μF、VCSAREF定格コンデンサ
RSENSE SP SN 検出シャント抵抗
RSP、RSN SP / SN RSENSE オプション：電流センスアンプ入力フィルタ用 10Ω。
CSPSN SP SN オプション：電流センスアンプ入力フィルタ用 1nF セラミックコンデンサ。
C SP、C SN SP / SN GND オプション：電流センスアンプ入力フィルタ用 1nF セラミックコンデンサ。