JAJSWJ4
May 2025
TPS7H6101-SEP
ADVANCE INFORMATION
1
1
特長
2
アプリケーション
3
説明
4
デバイスのオプション表
5
ピン構成および機能
6
仕様
6.1
絶対最大定格
6.2
ESD 定格
6.3
推奨動作条件
6.4
熱に関する情報
6.5
電気的特性
6.6
スイッチング特性
6.7
代表的特性
7
パラメータ測定情報
7.1
タイミング測定
7.2
デッドタイム測定情報
8
詳細説明
8.1
概要
8.2
機能ブロック図
8.3
機能説明
8.3.1
ゲートドライバの入力電圧
8.3.2
リニアレギュレータ動作
8.3.3
ブートストラップ動作
8.3.3.1
ブートストラップの充電方式
8.3.3.2
ブートストラップ コンデンサ
8.3.3.3
ブートストラップダイオード
8.3.3.4
ブートストラップ抵抗
8.3.4
ハイサイドドライバスタートアップ
8.3.5
PWM_LI および EN_HI
8.3.6
デッド タイム
8.3.7
入力インターロック保護
8.3.8
低電圧誤動作防止とパワー グッド (PGOOD)
8.3.9
負の SW 電圧過渡
8.3.10
レベル シフタ
8.4
デバイスの機能モード
9
アプリケーションと実装
9.1
アプリケーション情報
9.2
代表的なアプリケーション
9.2.1
設計要件
9.2.2
詳細な設計手順
9.2.2.1
ブートストラップおよびバイパスコンデンサ
9.2.2.2
ブートストラップダイオード
9.2.3
アプリケーション結果
9.3
電源に関する推奨事項
9.4
レイアウト
9.4.1
レイアウトのガイドライン
9.4.2
レイアウト例
10
デバイスおよびドキュメントのサポート
10.1
ドキュメントのサポート
10.1.1
関連資料
10.2
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
10.3
サポート・リソース
10.4
商標
10.5
静電気放電に関する注意事項
10.6
用語集
11
改訂履歴
12
メカニカル、パッケージ、および注文情報
12.1
テープおよびリール情報
1
特長
耐放射線性能:
総電離線量 (TID) 50krad(Si) に対して、放射線ロット受入試験 (RLAT) を実施済み
シングルイベント過渡 (SET)、シングルイベントバーンアウト (SEB)、シングルイベント ゲートラプチャー (SEGR) に対し、線形エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm
2
/mg まで耐性あり
シングルイベント過渡 (SET) およびシングルイベント故障割込み (SEFI) は、線エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm
2
/mg まで特性評価済み
200V e-モード GaN FET ハーフブリッジ
15mΩR
DS(ON)
(代表値)
100kHz~2MHz 動作
LGA パッケージ:
サーマルパッド付きの熱最適化 12mm × 9mm LGA パッケージ
内蔵ゲートドライブ抵抗
低共通ソースインダクタンスのパッケージ
電気的に絶縁されたハイサイドとローサイド
ハーフブリッジと 2 個のスイッチの各種電源トポロジに対応するフレキシブルな制御
低伝搬遅延
2 つの動作モード
デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
2 つの独立した入力
プログラム可能なデッドタイム制御
独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
堅牢な FET 動作を実現する 5V ゲートドライブ電源