3 説明

TPS7H6101 は、ゲートドライバ内蔵の耐放射線性 200V Eモード GaN パワー FET ハーフブリッジです。Eモード GaN FET とゲートドライバを内蔵しているため、設計の簡素化、部品点数の削減、基板面積の節減を実現できます。ハーフブリッジと 2 つの独立スイッチトポロジ、構成可能なデッドタイム、構成可能なシュートスルーインターロック保護のサポートにより、幅広いアプリケーションと実装をサポートできます。