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TPS7H6101-SEP

アクティブ

Radiation-tolerant 200V 10A GaN power stage with integrated driver

製品詳細

VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Catalog, Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Catalog, Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
LGA (NPR) 64 11664 mm² 108 x 108 UNKNOWN (NPR) 64 See data sheet
  • 耐放射線性能:
    • 特性評価済み総電離線量 (TID) (1)
      • 総電離線量 (TID) 50krad(Si) に対して、放射線ロット受入試験 (RLAT) を実施済み
    • 特性評価済みシングル イベント効果 (SEE) (2)
      • シングルイベント過渡 (SET)、シングルイベントバーンアウト (SEB)、シングルイベント ゲートラプチャー (SEGR) に対し、線形エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで耐性あり
      • シングルイベント過渡 (SET) およびシングルイベント故障割込み (SEFI) は、線エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで特性評価済み
  • 200V 強化モード (e モード) GaN FET ハーフブリッジ
    • 15mΩRDS(ON) (標準値)
    • 最大 2MHz 動作
  • LGA パッケージ:
    • サーマルパッド付きの熱最適化 12mm × 9mm LGA パッケージ
    • 内蔵ゲートドライブ抵抗
    • 低共通ソースインダクタンスのパッケージ
    • 電気的に絶縁されたハイサイドとローサイド
  • ハーフブリッジと 2 個のスイッチの各種電源トポロジに対応するフレキシブルな制御
    • 低伝搬遅延
    • 2 つの動作モード
      • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
      • 2 つの独立した入力
    • プログラム可能なデッドタイム制御
    • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
    • 堅牢な FET 動作を実現する 5V ゲートドライブ電源
  • 耐放射線性能:
    • 特性評価済み総電離線量 (TID) (1)
      • 総電離線量 (TID) 50krad(Si) に対して、放射線ロット受入試験 (RLAT) を実施済み
    • 特性評価済みシングル イベント効果 (SEE) (2)
      • シングルイベント過渡 (SET)、シングルイベントバーンアウト (SEB)、シングルイベント ゲートラプチャー (SEGR) に対し、線形エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで耐性あり
      • シングルイベント過渡 (SET) およびシングルイベント故障割込み (SEFI) は、線エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで特性評価済み
  • 200V 強化モード (e モード) GaN FET ハーフブリッジ
    • 15mΩRDS(ON) (標準値)
    • 最大 2MHz 動作
  • LGA パッケージ:
    • サーマルパッド付きの熱最適化 12mm × 9mm LGA パッケージ
    • 内蔵ゲートドライブ抵抗
    • 低共通ソースインダクタンスのパッケージ
    • 電気的に絶縁されたハイサイドとローサイド
  • ハーフブリッジと 2 個のスイッチの各種電源トポロジに対応するフレキシブルな制御
    • 低伝搬遅延
    • 2 つの動作モード
      • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
      • 2 つの独立した入力
    • プログラム可能なデッドタイム制御
    • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
    • 堅牢な FET 動作を実現する 5V ゲートドライブ電源

TPS7H6101 は、放射線耐性の 200V e モード GaN パワー FET ハーフブリッジで、ゲート ドライバを内蔵しています。e モード GaN FET とゲート ドライバの統合により、設計の簡素化、部品点数の削減、基板面積の節減を実現しています。ハーフブリッジと 2 つの独立スイッチトポロジ、構成可能なデッドタイム、構成可能なシュートスルーインターロック保護のサポートにより、幅広いアプリケーションと実装をサポートできます。

TPS7H6101 は、放射線耐性の 200V e モード GaN パワー FET ハーフブリッジで、ゲート ドライバを内蔵しています。e モード GaN FET とゲート ドライバの統合により、設計の簡素化、部品点数の削減、基板面積の節減を実現しています。ハーフブリッジと 2 つの独立スイッチトポロジ、構成可能なデッドタイム、構成可能なシュートスルーインターロック保護のサポートにより、幅広いアプリケーションと実装をサポートできます。

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技術資料

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* データシート TPS7H6101-SEP 200V、10A GaNハーフブリッジ電力ステージ データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 2026年 4月 8日
* 放射線と信頼性レポート Single-Event Effects (SEE) Radiation Report of the TPS7H6101-SEP PDF | HTML 2026年 4月 2日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6101-SEP Production Flow and Reliability Report (Rev. A) PDF | HTML 2026年 3月 27日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6101 Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report 2026年 2月 20日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6101-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 2026年 1月 28日
アプリケーション・ノート TI の宇宙用拡張製品 (SEP) と宇宙用製品 (SP) をベースとする、 高い拡張性を備えた宇宙用モーター制御プラットフォーム PDF | HTML 2026年 6月 16日
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. L) 2026年 3月 27日
証明書 TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 4月 16日
アプリケーション・ノート Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022年 9月 15日
e-Book(PDF) Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 評価基板

TPS7H6101EVM は J13 の入力電圧レールを使用して、PVIN 100V に電力を供給します。デフォルトでは、本デバイスは PWM モードで動作し、最小限の変更で IIM モードを使用できます。J8 に 0V~5V の波形を入力する TPS7H6101-SP は、選択したデューティ サイクルと周波数の降圧コンバータとして動作します。TPS7H6101EVM は、クイック スタート ガイドの記載のパラメータに従って設定とテストを実施済みです。クイック スタート ガイド以外に記載されている入力を使用する場合は、基板の熱管理と、インダクタの 18A 飽和電流を考慮に入れてください。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

TPS7H6101-SP PSpice Transient Model

SNOM820.ZIP (66 KB) - PSpice Model
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
LGA (NPR) 64 Ultra Librarian
UNKNOWN (NPR) 64 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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