データシート
TPS7H6101-SEP
- 耐放射線性能：
- 特性評価済み総電離線量 (TID) (1)
- 総電離線量 (TID) 50krad(Si) に対して、放射線ロット受入試験 (RLAT) を実施済み
- 特性評価済みシングル イベント効果 (SEE) (2)
- シングルイベント過渡 (SET)、シングルイベントバーンアウト (SEB)、シングルイベント ゲートラプチャー (SEGR) に対し、線形エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで耐性あり
- シングルイベント過渡 (SET) およびシングルイベント故障割込み (SEFI) は、線エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで特性評価済み
- 特性評価済み総電離線量 (TID) (1)
- 200V 強化モード (e モード) GaN FET ハーフブリッジ
- 15mΩRDS(ON) (標準値)
- 最大 2MHz 動作
- LGA パッケージ：
- サーマルパッド付きの熱最適化 12mm × 9mm LGA パッケージ
- 内蔵ゲートドライブ抵抗
- 低共通ソースインダクタンスのパッケージ
- 電気的に絶縁されたハイサイドとローサイド
- ハーフブリッジと 2 個のスイッチの各種電源トポロジに対応するフレキシブルな制御
- 低伝搬遅延
- 2 つの動作モード
- デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
- 2 つの独立した入力
- プログラム可能なデッドタイム制御
- 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
- 堅牢な FET 動作を実現する 5V ゲートドライブ電源
TPS7H6101 は、放射線耐性の 200V e モード GaN パワー FET ハーフブリッジで、ゲート ドライバを内蔵しています。e モード GaN FET とゲート ドライバの統合により、設計の簡素化、部品点数の削減、基板面積の節減を実現しています。ハーフブリッジと 2 つの独立スイッチトポロジ、構成可能なデッドタイム、構成可能なシュートスルーインターロック保護のサポートにより、幅広いアプリケーションと実装をサポートできます。
技術資料
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設計と開発
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評価ボード
TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 評価基板
TPS7H6101EVM は J13 の入力電圧レールを使用して、PVIN 100V に電力を供給します。デフォルトでは、本デバイスは PWM モードで動作し、最小限の変更で IIM モードを使用できます。J8 に 0V~5V の波形を入力する TPS7H6101-SP は、選択したデューティ サイクルと周波数の降圧コンバータとして動作します。TPS7H6101EVM は、クイック スタート ガイドの記載のパラメータに従って設定とテストを実施済みです。クイック スタート ガイド以外に記載されている入力を使用する場合は、基板の熱管理と、インダクタの 18A 飽和電流を考慮に入れてください。
在庫あり
制限：
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入手不可
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| UNKNOWN (NPR) | 64 | Ultra Librarian |
| LGA (NPR) | 64 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。