KOKT147 April   2025 LM5066I

 

  1.   1
  2. 1 머리말
  3. 2 3
  4. 3 48V AI 서버를 위한 핫 스왑 회로 설계의 어려움
  5. 4 과제 1: 출력 단락 동안의 턴오프 지연
  6. 5 과제 2: 부하 과도 현상 중 의도치 않은 게이트 턴오프
  7. 6 과제 3: 제어된 (느린) 턴온 시 병렬 공진
  8. 7 제안된 회로 개선 사항
  9. 8 턴오프 대응 개선
  10. 9 동적 부하 시 의도치 않은 턴오프 문제 해결
  11. 10기생 진동 감쇠
  12. 11설계 가이드라인 및 부품 선택
  13. 12Cdv/dt 방전 회로
  14. 13결론
  15. 14참고 자료
  16. 15관련 웹사이트

6 과제 3: 제어된 (느린) 턴온 시 병렬 공진

일반적으로 병렬 MOSFET은 선형 작동 영역에서 단일 MOSFET보다 기생 오실레이션이 더 발생하기 쉽습니다. 이는 드레인, 소스 및, 게이트 노드에 존재하는 기생 스트레이 패키지 인덕턴스와 커패시턴스가 Colpitts 오실레이터와 비슷한 공진 탱크 회로를 형성하기 때문입니다. 게이트 드라이브 강도가 2A를 초과하는 스위칭 레귤레이터와 달리, 게이트 드라이브 강도가 낮은(20µA) 핫 스왑 컨트롤러는 선형 영역에서 MOSFET을 작동시켜 시동 시 돌입 전류를 제한합니다. 따라서 핫 스왑 MOSFET의 병렬 조합은 매우 취약하며 지속적인 진동을 생성할 가능성이 더 높습니다. 이 현상은 단락으로 전원이 공급되는 고장 상황에서 MOSFET의 SOA(안전 동작 영역)을 위반하게 만들어 결국 MOSFET 손상을 초래합니다.