5 과제 2: 부하 과도 현상 중 의도치 않은 게이트 턴오프

Cdv/dt를 위한 로컬 PNP 기반 방전 회로는 출력 단락 이벤트 중에 MOSFET을 안정적으로 끄는 데 도움이 되지만, 고주파, 고회전율 부하 과도 현상이 있으면 의도치 않은 게이트 턴오프를 유발합니다. 부하 스텝업 동안 핫 스왑 회로의 유한한 입력 및 출력 임피던스로 인해 MOSFET 소스 노드의 전압이 떨어집니다. 소스 노드의 전압 강하는 MOSFET의 C_GS 커패시턴스를 통해 MOSFET 게이트 노드로 커플링되어 게이트 노드의 전압도 함께 떨어지게 합니다. MOSFET 소스 노드는 부하 스텝다운 중에 복구됩니다. LM5066I 핫 스왑 컨트롤러의 제한된 게이트 전류(일반적으로 20µA)로 인해 게이트 노드를 이전 레벨로 완전히 복구할 수 없습니다. 따라서 핫 스왑 컨트롤러 게이트는 후속 부하 과도 사이클에서 계속 더 낮아져 Q1에 베이스-이미터 전압을 생성합니다. 마지막으로 PNP 양극성 접합 트랜지스터 Q1이 켜지고 시스템을 잘못 셧다운합니다. 그림 6에서는 전체 프로세스를 보여주며, 그림 7에서는 해당 테스트 결과를 보여줍니다.