KOKT147 April 2025 LM5066I
부하 전류가 증가하면 최대 정상 상태 MOSFET 접합부 온도를 안전한 값(100°C~125°C)으로 제한하기 위해 더 많은 MOSFET을 병렬로 연결해야 합니다. 예를 들어 70°C의 주변 온도에서 150A의 정상 상태 부하 전류를 지원하려면, TI(텍사스 인스트루먼트) CSD19536KTT MOSFET 8개가 병렬로 연결되어야 정상 상태 MOSFET 접합부 온도를 100°C로 제한할 수 있습니다. 병렬로 연결된 MOSFET은 열적으로 도움이 되지만 핫 스왑 컨트롤러의 게이트 핀에서 유효 커패시턴스를 높이고 턴오프 대응에 영향을 미칩니다.
출력 단락 시, 고장 전류가 추가로 축적되는 것을 방지하고 MOSFET, 입력 전원 공급 장치 또는 PCB(인쇄 회로 보드)의 손상을 방지할 수 있을 만큼 MOSFET을 충분히 빠르게 꺼야 합니다. TI LM5066I 핫 스왑 컨트롤러의 게이트 풀다운 강도는 160mA로 제한되며, 이는 단락 이벤트 중에 모든 MOSFET 8개를 완전히 끄기에는 충분하지 않습니다(그림 5 참조).
그림 5 MOSFET 8개가 함께 사용된 LM5066I 컨트롤러의 단락 대응.