KOKT147 April   2025 LM5066I

 

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  2. 머리말
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  4. 48V AI 서버를 위한 핫 스왑 회로 설계의 어려움
  5. 과제 1: 출력 단락 동안의 턴오프 지연
  6. 과제 2: 부하 과도 현상 중 의도치 않은 게이트 턴오프
  7. 과제 3: 제어된 (느린) 턴온 시 병렬 공진
  8. 제안된 회로 개선 사항
  9. 턴오프 대응 개선
  10. 동적 부하 시 의도치 않은 턴오프 문제 해결
  11. 10기생 진동 감쇠
  12. 11설계 가이드라인 및 부품 선택
  13. 12Cdv/dt 방전 회로
  14. 13결론
  15. 14참고 자료
  16. 15관련 웹사이트

과제 1: 출력 단락 동안의 턴오프 지연

부하 전류가 증가하면 최대 정상 상태 MOSFET 접합부 온도를 안전한 값(100°C~125°C)으로 제한하기 위해 더 많은 MOSFET을 병렬로 연결해야 합니다. 예를 들어 70°C의 주변 온도에서 150A의 정상 상태 부하 전류를 지원하려면, TI(텍사스 인스트루먼트) CSD19536KTT MOSFET 8개가 병렬로 연결되어야 정상 상태 MOSFET 접합부 온도를 100°C로 제한할 수 있습니다. 병렬로 연결된 MOSFET은 열적으로 도움이 되지만 핫 스왑 컨트롤러의 게이트 핀에서 유효 커패시턴스를 높이고 턴오프 대응에 영향을 미칩니다.

출력 단락 시, 고장 전류가 추가로 축적되는 것을 방지하고 MOSFET, 입력 전원 공급 장치 또는 PCB(인쇄 회로 보드)의 손상을 방지할 수 있을 만큼 MOSFET을 충분히 빠르게 꺼야 합니다. TI LM5066I 핫 스왑 컨트롤러의 게이트 풀다운 강도는 160mA로 제한되며, 이는 단락 이벤트 중에 모든 MOSFET 8개를 완전히 끄기에는 충분하지 않습니다(그림 5 참조).

 MOSFET 8개가 함께 사용된 LM5066I 컨트롤러의 단락 대응.그림 5 MOSFET 8개가 함께 사용된 LM5066I 컨트롤러의 단락 대응.