그림 8에 나와 있는 제안된 솔루션에서 -PNP 트랜지스터(QPD 및 RPD)를 사용하는 외부 고속 풀다운 회로를 도입하면 턴오프 속도가 빨라집니다. 출력 단락 이벤트 동안 160mA의 게이트 풀다운 전류는 RPD 저항 전체에서 상당한 전압 강하를 생성하여 PNP 트랜지스터(QPD)의 빠른 풀다운을 지원합니다. 이렇게 되면 모든 병렬 MOSFET의 게이트-소스가 단락되어 MOSFET를 즉시 끄고 전원 경로를 신속하게 분리합니다. 그림 9에서는 빠른 풀다운 회로에서 단락 이벤트가 발생할 경우의 실험 결과를 보여줍니다.