실리콘 카바이드(SiC)의 성능 활용
견고한 차세대 고효율 소형 시스템 설계에 사용할 적절한 실리콘 카바이드 또는 IGBT 게이트 드라이버 선택
고효율
TI에서 제공하는 SiC 및 IGBT 게이트 드라이버의 강력한 구동 전류, 높은 CMTI 및 짧은 전파 지연 시간으로 설계 효율성 향상.
고급 보호
빠른 단락 보호 및 높은 서지 내성이 통합된 TI의 게이트 드라이버를 사용하여 견고한 절연 시스템 구축.
소형 솔루션
TI의 빠르고 견고하고 안정적인 드라이버를 통해 더 높은 PWM 주파수에서 SiC를 전환하여 시스템 크기와 무게를 줄이고 비용 절감.
주요 제품
UCC21710-Q1
UCC21710-Q1은 높은 CMTI와 고급 보호 기능을 제공하는 SiC/IGBT용 단일 채널 절연 게이트 드라이버입니다.
UCC21750
UCC21750은 탈포화를 사용하여 높은 CMTI와 고급 보호 기능을 제공하는 SiC/IGBT용 단일 채널 절연 게이트 드라이버입니다.
UCC21530-Q1
활성화를 지원하는 오토모티브, 4A, 6A, 5.7kVrms 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버
주요 EVM 및 레퍼런스 설계
주요 설계 리소스
IGBT 및 SiC 게이트 드라이버 기본 사항
가장 자주 묻는 IGBT 및 SiC 게이트 드라이버 관련 질문에 대한 솔루션을 찾아보세요. 이 e북에 자세한 설명이 나와있지만, 오른쪽에서 설계와 가장 관련 높은 주제로 이동할 수 있습니다.
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실리콘 카바이드 게이트 드라이버 - 파워 일렉트로닉스의 무중단 기술
적절한 에코시스템(이 예에서는 게이트 드라이버)이 없으면 실리콘 카바이드의 잠재적을 최대로 실현할 수 없습니다. 무중단 기술에 대해 읽어보고 파워 일렉트로닉스에 어떤 영향을 미치는지 알아보세요.
주요 비디오
SiC 드라이버용 MCU를 찾고 계십니까?
C2000 실시간 컨트롤러를 사용하면 엔지니어가 더 효율적이고 안정적인 고전력 시스템을 만들 수 있습니다. 고주파 전원 제어 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 정밀 센서, 강력한 프로세싱 및 프리미엄 작동 기능.