TI의 유연하고 보편적으로 호환되는 절연 게이트 드라이버를 사용하여 여러 애플리케이션에서 더 작고 견고한 디자인을 설계하세요. 기본 및 기능 절연에서 강화 절연에 이르기까지, TI의 절연 게이트 드라이버를 사용하면 전기 충격으로부터 보호하고 고전압 레벨을 더 안전하게 보호할 수 있도록 설계할 수 있습니다.
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전력의 추세
전력 밀도 및 절연을 위한 절연 게이트 드라이버
절연 디바이스를 사용하면 데이터 및 전원이 고전압 및 저전압 유닛 간에 전송되는 동시에 위험한 DC 또는 통제되지 않은 과도 전류가 그리드에서 흐르는 것을 방지할 수 있습니다. 절연 안정성은 아이솔레이터를 고속 게이트 드라이버와 통합하여 실현됩니다. 게이트 드라이버는 기본, 기능 및 강화 절연에 사용할 수 있으며, MOSFET, IGBT, SiC 또는 GaN 전원 스위치를 위한 적절한 고전류 게이트 드라이브를 생성하기 위해 컨트롤러 IC에서 저전력 입력을 받습니다.
비디오
전기 자동차 애플리케이션의 전원 장치 보호
이 프레젠테이션에서는 ASIL 등급 애플리케이션을 지원하고 전원 장치를 손상 조건으로부터 보호하는 절연 게이트 드라이버 기능을 설명합니다.
White paper
고성능 통합 파워트레인 솔루션: EV 도입의 핵심
이 백서에서는 전기 차량의 빠른 도입을 위한 광대역 갭 반도체 스위치 및 절연 게이트 드라이버를 사용하는 통합 파워트레인 솔루션의 이점에 대해 살펴봅니다.
Application note
HEV/EV Traction Inverter Design Guide Using Isolated IGBT and SiC Gate Drivers (Rev. B)
이 애플리케이션 보고서는 TI 절연 게이트 드라이버의 진단 및 보호 기능을 사용하여 HEV/EV 트랙션 인버터 드라이브 시스템을 설계하는 방법을 설명합니다.
전력 밀도 및 절연을 위한 주요 제품
기술 리소스
White paper
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
이 백서는 전원 스위치의 기능으로서 절연 게이트 드라이버의 장점과 요구 사항에 대해 설명합니다.
인증서
절연 게이트 드라이버에 대한 인증
TI는 차량용 및 산업용 설계를 위한 전 세계적인 업계 표준을 충족하는 제품을 제공하고 있습니다. 여러 독립 인증 연구소에서 TI 절연 제품의 전기 절연 강도를 테스트하고 인증합니다.
비디오
절연 게이트 드라이버 101
데이터시트 절연 표와 절연 테스트 방법론, 그리고 첨단 절연 게이트 드라이버로 시스템 성능을 최적화하는 모범 사례를 통해 절연 기술에 대해 알아보십시오.
설계 및 개발 자료
Reference design
Three-phase inverter reference design for 200-480 VAC drives with opto-emulated input gate drivers
This reference design realizes a reinforced isolated three-phase inverter subsystem using isolated IGBT gate drivers and isolated current/voltage sensors. The UCC23513 gate driver used has a 6-pin wide body package with optical LED emulated inputs which enables its use as pin-to-pin replacement to (...)
Reference design
10-kW, bidirectional three-phase three-level (T-type) inverter and PFC reference design
This verified reference design provides an overview on how to implement a three-level three-phase SiC based DC:AC T-type inverter stage. Higher switching frequency of 50KHz reduces the size of magnetics for the filter design and enables higher power density. The use of SiC MOSFETs with switching (...)
Reference design
98.6% Efficiency, 6.6-kW Totem-Pole PFC Reference Design for HEV/EV Onboard Charger
This reference design functions from a base of silicon carbide (SiC) MOSFETs that are driven by a C2000 microcontroller (MCU) with SiC-isolated gate drivers. The design implements three-phase interleaving and operates in continuous conduction mode (CCM) to achieve a 98.46% efficiency at a 240-V (...)