Power management Gate drivers Isolated gate drivers

Power management

절연 게이트 드라이버

여러 애플리케이션을 위한 매우 견고하고 유연하고 보편적으로 호환되는 디바이스

TI의 유연하고 보편적으로 호환되는 절연 게이트 드라이버를 사용하여 여러 애플리케이션에서 더 작고 견고한 디자인을 설계하세요. 기본 및 기능 절연에서 강화 절연에 이르기까지, TI의 절연 게이트 드라이버를 사용하면 전기 충격으로부터 보호하고 고전압 레벨을 더 안전하게 보호할 수 있도록 설계할 수 있습니다. 지금 바로 설계를 시작하세요.

기능 및 기본 절연

기능 또는 기본 절연은 최대 3kVrms의 단일 전기 절연 수준과 전기 충격에 대한 충분한 보호 기능을 제공합니다. 이들 솔루션은 고전압 지침을 충족하는 동시에 강력한 접지 바운스 보호를 제공합니다.

강화 절연

강화 절연은 최대 5.7kVrms의 절연 정격을 지원하여 사람과 장비를 전기 충격으로부터 안전하게 보호합니다. 강화 솔루션은 더 높은 작동 전압, 더 넓은 연면 및 클리어런스로 시스템 안정성 향상을 제공합니다.

전력의 추세

전력 관리는 우리 생활에 전자 제품이 계속해서 녹아들 수 있도록 하는 동력의 중심에 있습니다. 수십 년 동안 TI는 설계에 가장 적합한 전원 장치를 제공하기 위한 새로운 프로세스, 패키지, 회로 설계 기술을 개발하는 데 앞장서 왔습니다. 전력 밀도, 낮은 EMI 및 절연 문제를 해결할 수 있도록 설계된 아래의 주요 절연 제품을 확인해 보십시오.

전력 밀도 및 절연을 위한 절연 게이트 드라이버

절연 디바이스를 사용하면 데이터 및 전원이 고전압 및 저전압 유닛 간에 전송되는 동시에 위험한 DC 또는 통제되지 않은 과도 전류가 그리드에서 흐르는 것을 방지할 수 있습니다. 절연 견고성과 높은 전력 밀도는 아이솔레이터를 주요 전원 구성 요소인 통합 고속 절연 게이트 드라이버와 통합하여 실현됩니다. TI의 절연 게이트 드라이버는 기본, 기능 및 강화 절연에 사용할 수 있으며, MOSFET, IGBT, SiC 또는 GaN 전원 스위치를 위한 적절한 고전류 게이트 드라이브를 생성하기 위해 컨트롤러 IC에서 저전력 입력을 받습니다.

UCC21750

고급 보호 기능을 갖춘 SiC/IGBT용 ±10A, 5.7kVrms 단일 채널 절연 게이트 드라이버

UCC21530

3.3mm 채널 간 간격을 지원하는 4A, 6A, 5.7kVrms 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버

UCC5870-Q1

오토모티브, 기능 안전 호환 15A 절연 IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버

주요 레퍼런스 디자인

절연 게이트 드라이버 및 콤보 박스 아키텍처

트랙션 인버터, DC/DC 컨버터 및 온보드 충전기를 콤보 박스 아키텍처로 통합하면 차량 무게를 줄이고, 전체 비용을 낮추고, 전력 밀도를 높일 수 있으므로, 일반 대중이 전기 차량을 사용할 수 있습니다. 시스템을 통합하면 복잡한 자기 통합 및 더 정교한 제어 알고리즘의 필요성과 같은 새로운 기술적 문제가 발생하게 됩니다. 고급 진단 및 보호 기능을 갖춘 절연 게이트 드라이버는 낮은 시스템 비용으로 통합 및 높은 전력 밀도를 지원합니다.

전기 자동차 콤보 박스

고성능 콤보 박스 파워 트레인 솔루션

통합 파워트레인 솔루션을 사용하여 파워 일렉트로닉스를 통해 전기 자동차 채택 속도를 높일 경우의 이점에 대해 알아보세요.

더 많은 마력을 위한 높은 구동 강도

콤보 박스 파워 트레인 아키텍처를 위한 비용 최적화된 SiC/IGBT 절연 게이트 드라이버로 보드 크기를 최소 50% 줄이고 전력 밀도를 높이세요.