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CSD23381F4

AKTIV

P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 175 mΩ, Gate-ESD-Schutz

Produktdetails

VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 175 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 300 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.14 QGD (typ) (nC) 0.19 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 175 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 300 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.14 QGD (typ) (nC) 0.19 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² (1.035 mm × 0.635 mm)
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36 mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36 mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 150 mΩ, 12 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 150 mΩ, 12 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt CSD23381F4 12-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. G) PDF | HTML 10.03.2022
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Technischer Artikel The real secret to become a better cook. Integrate smart scale technology in kitch PDF | HTML 25.10.2016
Designleitfaden FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 07.07.2016

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD23381F4 TINA-TI Spice Model (Rev. A)

SLPM091A.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD23381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. C)

SLPM089C.ZIP (3 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

TIDA-00179 — Referenzdesign für universelle digitale Schnittstelle zur Anbindung von Absolutwertgebern

TIDA-00179 ist eine EMC-konforme digitale Universalschnittstelle zum Anschluss von Absolutwertgebern wie EnDat 2.2, Biss®, SSI oder HIPERFACE DSL®. Dieses Referenzdesign unterstützt einen großen Eingangsspannungsbereich von 15 V bis 60 V (24 V nom). Ein Anschluss mit 3,3-V-Logik-E/A-Signalen (...)

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Dieses Referenzdesign wurde 10 Zellen in Reihenakkupacks für die Überwachung, den Ausgleich und den Schutz von Elektrowerkzeugen getestet. In Elektrowerkzeuge werden zunehmend hochdichte auf Li-Ion- oder Li-Eisenphosphat-Zellen basierenden Akkupacks eingesetzt, die vor Explosion aufgrund falscher (...)

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TIDA-00765 — 1 g-Auflösung über 15 kg-Bereich. Sub-100 nVpp-Rauschen-Frontend – Referenzdesign

TIDA-00765 ist ein analoges Frontend mit weniger als 100 nVpp für die auf der Wägezelle einer ohmschen Dehnungsmessstreifenbrücke basierende Gewichts- und Vibrationsmessung. Es ist ideal geeignet für Geräte, die aufgrund eines großen Dynamikbereichs eine hohe Auflösung benötigen oder eine (...)
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

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