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DRV8328

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Dreiphasiger 60-V-Gate-Treiber für 1000/2000 mA

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DRV8328

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Produktdetails

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features Bootstrap Architecture for Gate Driver, HW based configuration, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features Bootstrap Architecture for Gate Driver, HW based configuration, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN (RUY) 28 16 mm² 4 x 4
  • 65-V Three Phase Half-Bridge Gate Driver
    • Drives 3 High-Side and 3 Low-Side N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60-V Operating Voltage Range
    • Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump
  • Bootstrap based Gate Driver Architecture
    • 1000-mA Maximum Peak Source Current
    • 2000-mA Maximum Peak Sink Current
  • Hardware interface provides simple configuration
  • Ultra-low power sleep mode <1 uA at 25 ̊C
  • 4-ns (typ) propagation delay matching between phases
  • Independent driver shutdown path (DRVOFF)
  • 65-V tolerant wake pin (nSLEEP)
  • Supports negative transients upto -10V on SHx
  • 6x and 3x PWM Modes
  • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs
  • Accurate LDO (AVDD), 3.3 V ±3%, 80 mA
  • Compact QFN Packages and Footprints
  • Adjustable VDS overcurrent threshold through VDSLVL pin
  • Adjustable deadtime through DT pin
  • Efficient System Design With Power Blocks
  • Integrated Protection Features
    • PVDD Undervoltage Lockout (PVDDUV)
    • GVDD Undervoltage (GVDDUV)
    • Bootstrap Undervoltage (BST_UV)
    • Overcurrent Protection (VDS_OCP, SEN_OCP)
    • Thermal Shutdown (OTSD)
    • Fault Condition Indicator (nFAULT)
  • 65-V Three Phase Half-Bridge Gate Driver
    • Drives 3 High-Side and 3 Low-Side N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60-V Operating Voltage Range
    • Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge pump
  • Bootstrap based Gate Driver Architecture
    • 1000-mA Maximum Peak Source Current
    • 2000-mA Maximum Peak Sink Current
  • Hardware interface provides simple configuration
  • Ultra-low power sleep mode <1 uA at 25 ̊C
  • 4-ns (typ) propagation delay matching between phases
  • Independent driver shutdown path (DRVOFF)
  • 65-V tolerant wake pin (nSLEEP)
  • Supports negative transients upto -10V on SHx
  • 6x and 3x PWM Modes
  • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs
  • Accurate LDO (AVDD), 3.3 V ±3%, 80 mA
  • Compact QFN Packages and Footprints
  • Adjustable VDS overcurrent threshold through VDSLVL pin
  • Adjustable deadtime through DT pin
  • Efficient System Design With Power Blocks
  • Integrated Protection Features
    • PVDD Undervoltage Lockout (PVDDUV)
    • GVDD Undervoltage (GVDDUV)
    • Bootstrap Undervoltage (BST_UV)
    • Overcurrent Protection (VDS_OCP, SEN_OCP)
    • Thermal Shutdown (OTSD)
    • Fault Condition Indicator (nFAULT)

The DRV8328 family of devices is an integrated gate driver for three-phase applications. The devices provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The device generates the correct gate drive voltages using an internal charge pump and enhances the high-side MOSFETs using a bootstrap circuit. A trickle charge pump is included to support 100% duty cycle. The Gate Drive architecture supports peak gate drive currents up to 1-A source and 2-A sink. The DRV8328 can operate from a single power supply and supports a wide input supply range of 4.5 to 60 V.

The 6x and 3x PWM modes allow for simple interfacing to controller circuits. The device has integrated accurate 3.3-V LDO that can be used to power external controller and can be used as reference for CSA. The configuration settings for the device are configurable through hardware (H/W) pins.

A low-power sleep mode is provided to achieve low quiescent current by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection functions are provided for undervoltage lockout, GVDD fault, MOSFET overcurrent, MOSFET short circuit, and overtemperature. Fault conditions are indicated on nFAULT pin.

The DRV8328 family of devices is an integrated gate driver for three-phase applications. The devices provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The device generates the correct gate drive voltages using an internal charge pump and enhances the high-side MOSFETs using a bootstrap circuit. A trickle charge pump is included to support 100% duty cycle. The Gate Drive architecture supports peak gate drive currents up to 1-A source and 2-A sink. The DRV8328 can operate from a single power supply and supports a wide input supply range of 4.5 to 60 V.

The 6x and 3x PWM modes allow for simple interfacing to controller circuits. The device has integrated accurate 3.3-V LDO that can be used to power external controller and can be used as reference for CSA. The configuration settings for the device are configurable through hardware (H/W) pins.

A low-power sleep mode is provided to achieve low quiescent current by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection functions are provided for undervoltage lockout, GVDD fault, MOSFET overcurrent, MOSFET short circuit, and overtemperature. Fault conditions are indicated on nFAULT pin.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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User guide DRV8328AEVM User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 13 Jul 2022
Certificate DRV8328AEVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 09 Dez 2021

Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

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Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Arm Cortex-M0+-MCUs
MSPM0G1105 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 kB Flash, 16 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1106 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1107 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 kB Flash, 16 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärke MSPM0G1506 — 3×Operationsverstärker, MCU M0+mit 80 MHz Arm, 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12&nbs MSPM0G1507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärk MSPM0G3105 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 32KB Flash, 16KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3106 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 64KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3107 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3107-Q1 — Operationsverstärker für die Automobilindustrie, 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 12 bi MSPM0G3505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32KB Flash, 16KB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärker, MSPM0G3506 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärke MSPM0G3507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärk MSPM0G3507-Q1 — Operationsverstärker für die Automobilindustrie, Arm M0+ MCU 80 MHz, 128KB Flash, 32KB SRAM, 12 bit MSPM0L1303 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ für die Automobilindustrie mit 16 KB Flash, 2 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1305 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1305-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 32 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1306 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1306-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 64 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1343 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1344 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1345 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1346 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
BLDC-Treiber
DRV8300 — Einfacher dreiphasiger Gate-Treiber für max. 100 V mit Bootstrap-Dioden DRV8300-Q1 — 100-V-Batterie-3-Phasen-Gate-Treiber mit präziser Stromerfassung und verbessertem Schutz, für die Au DRV8300U — Einfacher Drei-Phasen-Gate-Treiber mit Bootstrap-Dioden und verbessertem UVLO-Schutz, max. 100 V DRV8311 — Max. 24 V abs., 3 bis 20 V, dreiphasiger bürstenloser Gleichstrom-Motortreiber mit integrierten FETs DRV8316 — 3-Phasen-Motortreiber mit 8-A-Peak für max. 40 V mit integrierter Strommessung und integrierten FETs DRV8316-Q1 — 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8316C-Q1 — 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8317 — 24-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 5 A Spitze und integrierte FETs und Strommessung DRV8323 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8328 — Dreiphasiger 60-V-Gate-Treiber für 1000/2000 mA DRV8329 — Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber, 60 V, 1000/2000 mA mit einzelnem Strommessverstärker DRV8353 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
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TIDA-010251 — Bürstenloser Gleichstrom-Motorumrichter, 18 V, 600 W – Referenzdesign

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