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DRV8334

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3-Phasen-Gate-Treiber, 60 V, 1000 mA bis 2000 mA, mit genauer Strommessung

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DRV8334

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Produktdetails

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM, SPI Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, Phase Comparators, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM, SPI Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, Phase Comparators, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 125
HTQFP (PHP) 48 81 mm² 9 x 9 VQFN (RGZ) 48 49 mm² 7 x 7
  • Three phase half-bridge gate driver
    • Drives six N-channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60V wide operating voltage range
    • Bootstrap architecture for high-side gate driver
    • Strong GVDD charge pump to support up to 50mA average gate switching current enables driving 400nC MOSFETs at 20kHz
    • Trickle charge pump to support 100% PWM duty cycle and to generate overdrive supply to drive external protection circuits
  • Smart Gate Drive architecture
    • 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000mA (source / sink)
    • Three-step dynamic drive current control
    • Configurable soft shutdown to minimize inductive voltage spikes during overcurrent shutdown
  • Low-side Current Sense Amplifier
    • Sub-1mV low input offset across temperature
    • 9-level adjustable gain
  • SPI-based detailed configuration and diagnostics
  • DRVOFF pin to disable driver independently
  • High voltage wake up pin (nSLEEP)
  • 6x, 3x, 1x, and Independent PWM Modes
  • Supports 3.3V, and 5V Logic Inputs
  • Integrated protection features
    • Battery and power supply voltage monitors
    • Phase feedback comparator
    • MOSFET VDS and Rsense over current monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition indicator pin
  • Three phase half-bridge gate driver
    • Drives six N-channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60V wide operating voltage range
    • Bootstrap architecture for high-side gate driver
    • Strong GVDD charge pump to support up to 50mA average gate switching current enables driving 400nC MOSFETs at 20kHz
    • Trickle charge pump to support 100% PWM duty cycle and to generate overdrive supply to drive external protection circuits
  • Smart Gate Drive architecture
    • 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000mA (source / sink)
    • Three-step dynamic drive current control
    • Configurable soft shutdown to minimize inductive voltage spikes during overcurrent shutdown
  • Low-side Current Sense Amplifier
    • Sub-1mV low input offset across temperature
    • 9-level adjustable gain
  • SPI-based detailed configuration and diagnostics
  • DRVOFF pin to disable driver independently
  • High voltage wake up pin (nSLEEP)
  • 6x, 3x, 1x, and Independent PWM Modes
  • Supports 3.3V, and 5V Logic Inputs
  • Integrated protection features
    • Battery and power supply voltage monitors
    • Phase feedback comparator
    • MOSFET VDS and Rsense over current monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition indicator pin

The DRV8334 is an integrated smart gate driver for three-phase BLDC applications. The device provides three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8334 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and a GVDD charge pump. The Smart Gate Drive architecture supports configurable peak gate drive current from 0.8mA up to 1A source and 2A sink. The DRV8334 can operate from a single power supply with a wide input range of 4.5 to 60V. A trickle charge pump enables 100% PWM duty cycle control, and provides overdrive supply voltage for external switches.

The DRV8334 provides low-side current sense amplifiers to support resistor based low-side current sensing. The low offset of the amplifiers enables the system to obtain precise motor current measurement.

A wide range of diagnostics and protection features integrated in the DRV8334 enable a robust motor drive system design and help eliminate the needs of external components. The highly configurable device response allows the device to be integrated seamlessly into a variety of system designs.

The DRV8334 is an integrated smart gate driver for three-phase BLDC applications. The device provides three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8334 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and a GVDD charge pump. The Smart Gate Drive architecture supports configurable peak gate drive current from 0.8mA up to 1A source and 2A sink. The DRV8334 can operate from a single power supply with a wide input range of 4.5 to 60V. A trickle charge pump enables 100% PWM duty cycle control, and provides overdrive supply voltage for external switches.

The DRV8334 provides low-side current sense amplifiers to support resistor based low-side current sensing. The low offset of the amplifiers enables the system to obtain precise motor current measurement.

A wide range of diagnostics and protection features integrated in the DRV8334 enable a robust motor drive system design and help eliminate the needs of external components. The highly configurable device response allows the device to be integrated seamlessly into a variety of system designs.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet DRV8334 Three-Phase Smart Gate Driver with Accurate Current Sensing and Advanced Monitoring datasheet (Rev. B) PDF | HTML 09 Sep 2025
Application brief DRV8334 Gate Drive Features and Benefits PDF | HTML 05 Aug 2025

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

DRV8334EVM — DRV8334-Evaluierungsmodul für 3-Phasen-Gate-Treiber

Das DRV8334-Evaluierungsmodul (EVM) ist eine bürstenlose 3-phasige 30-A-DC-Ansteuerungsstufe auf Basis des DRV8334--Gate-Treibers für BLDC-Motoren. Das EVM ermöglicht eine schnelle Evaluierung des DRV8334, der einen BLDC-Motor mit trapezförmiger Kommutierung antreibt. Status-LEDs für alle (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
GUI für Evaluierungsmodul (EVM)

DRV8334EVM-SENSORED-TRAPEZOIDAL-GUI — DRV8334EVM GUI to support sensored trapezoidal motor control

DRV8334EVM GUI to support sensored trapezoidal motor control
Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
BLDC-Treiber
  • DRV8334 — 3-Phasen-Gate-Treiber, 60 V, 1000 mA bis 2000 mA, mit genauer Strommessung
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Berechnungstool

BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
BLDC-Treiber
  • DRV8320 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V
  • DRV8320R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler
  • DRV8323 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern
  • DRV8323R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke
  • DRV8329 — Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber (60 V) mit drei Strom-Shunt-Verstärkern
  • DRV8329-Q1 — Dreiphasiger Gate-Treiber (60 V) für die Automobilindustrie mit einem Strommessverstärker
  • DRV8334 — 3-Phasen-Gate-Treiber, 60 V, 1000 mA bis 2000 mA, mit genauer Strommessung
  • DRV8340-Q1 — 12-bis-24-V-Batterie-3-Phasen-Smart-Gate-Treiber
  • DRV8343-Q1 — Intelligenter 3-Phasen-Gate-Treiber, 12- bis 24-V-Batterie, Strom-Shunt-Verstärker, Automobil
  • DRV8350 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V
  • DRV8350F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikationen
  • DRV8350R — Maximal 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, 102 V, mit Abwärtsregler
  • DRV8353 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, Strom-Shunt-Verstärker
  • DRV8353F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio
  • DRV8353M — Maximal 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern und erweitertem Te
  • DRV8353R — Maximal 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler, Strom-Shunt-Verstärkern
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Berechnungstool

DRV8334-SMART-GATE-DRIVE-REGISTER-SETTINGS-CALC — Calculator to provide recommended smart gate drive register settings for the DRV8334

This calculator provides initial recommendations for smart gate drive register configurations for the DRV8334 based on user inputs.
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BLDC-Treiber
  • DRV8334 — 3-Phasen-Gate-Treiber, 60 V, 1000 mA bis 2000 mA, mit genauer Strommessung
  • DRV8334-Q1 — Batterie-Dreiphasen-Gate-Treibereinheit (12 V und 24 V) mit präziser Stromerfassung für die Automobi
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
HTQFP (PHP) 48 Ultra Librarian
VQFN (RGZ) 48 Ultra Librarian
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