Produktdetails

Number of channels 1 Vs (min) (V) 2.7 Vs (max) (V) 36 CMRR (min) (dB) 70 Common-mode input low (min) (V) -200 Common-mode input high (max) (V) 200 Input offset (±) (max) (V) 0.005 Iq (typ) (mA) 0.6 Slew rate (typ) (V/µs) 1 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1 Small-signal bandwidth (typ) (Hz) 100000 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Gain drift (max) (ppm/°C) 3 Gain error (±) (max) (%) 0.076
Number of channels 1 Vs (min) (V) 2.7 Vs (max) (V) 36 CMRR (min) (dB) 70 Common-mode input low (min) (V) -200 Common-mode input high (max) (V) 200 Input offset (±) (max) (V) 0.005 Iq (typ) (mA) 0.6 Slew rate (typ) (V/µs) 1 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1 Small-signal bandwidth (typ) (Hz) 100000 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Gain drift (max) (ppm/°C) 3 Gain error (±) (max) (%) 0.076
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to 125°C
      Ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM ESD Classification Level 1C
    • Device CDM ESD Classification Level C6
    • Device MM ESD Classification Level M2
  • High Common-Mode Voltage
    • 75 V at VS = 5 V
    • ±200 V at VS = ±15 V
  • Fixed Differential Gain = 1 V/V
  • Low Quiescent Current: 260 µA
  • Wide Supply Range
    • Single Supply: 2.7 V to 36 V
    • Dual Supplies: ±1.35 V to ±18 V
  • Low Gain Error: 0.075% (Maximum)
  • Low Nonlinearity: 0.002% (Maximum)
  • High CMR: 86 dB
  • Surface-Mount 8-pin SOIC Package
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to 125°C
      Ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM ESD Classification Level 1C
    • Device CDM ESD Classification Level C6
    • Device MM ESD Classification Level M2
  • High Common-Mode Voltage
    • 75 V at VS = 5 V
    • ±200 V at VS = ±15 V
  • Fixed Differential Gain = 1 V/V
  • Low Quiescent Current: 260 µA
  • Wide Supply Range
    • Single Supply: 2.7 V to 36 V
    • Dual Supplies: ±1.35 V to ±18 V
  • Low Gain Error: 0.075% (Maximum)
  • Low Nonlinearity: 0.002% (Maximum)
  • High CMR: 86 dB
  • Surface-Mount 8-pin SOIC Package

The INA148-Q1 is a precision, low-power, unity-gain difference amplifier with a high common-mode input voltage range. The device consists of a monolithic, precision, bipolar operational amplifier with a thin-film resistor network.

The on-chip resistors are laser trimmed for an accurate 1-V/V differential gain and high common-mode rejection. Excellent temperature tracking of the resistor network maintains high gain accuracy and common-mode rejection over temperature. The INA148-Q1 operates on single or dual supplies. These features make the INA148-Q1 suitable for HEV/EV and Powertrain applications, specifically in battery management systems.

The INA148-Q1 is available in an 8-pin SOIC, surface-mount package, and is specified for operation over the temperature range of –40°C to 125°C.

The INA148-Q1 is a precision, low-power, unity-gain difference amplifier with a high common-mode input voltage range. The device consists of a monolithic, precision, bipolar operational amplifier with a thin-film resistor network.

The on-chip resistors are laser trimmed for an accurate 1-V/V differential gain and high common-mode rejection. Excellent temperature tracking of the resistor network maintains high gain accuracy and common-mode rejection over temperature. The INA148-Q1 operates on single or dual supplies. These features make the INA148-Q1 suitable for HEV/EV and Powertrain applications, specifically in battery management systems.

The INA148-Q1 is available in an 8-pin SOIC, surface-mount package, and is specified for operation over the temperature range of –40°C to 125°C.

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Technische Dokumentation

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