The ISOS510-SPradiation-hardened device is a single-channel, current-driven, analog isolator with transistor output. The device offers significant reliability and performance advantages compared to other current-driven analog isolators, including high bandwidth, low turn-off delay, low power consumption, wider temperature ranges, flat current transfer ratio (CTR), and tight process controls resulting in small part-to-part skew. These performance advantages stay stable across radiation, temperature, and lifetime.
ISOS510-SP is offered in small a SOIC-4 package with 2.54mm pin pitch, supporting a 3.75kVRMS isolation rating . The high performance and reliability of ISOS510-SP enables these devices to be used in aerospace and defense applications such as feedback loops in isolated DC/DC modules, satellite propulsion power processing units, spacecraft battery management systems, and more.
| Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Datum |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | ISOS510-SP Radiation Hardened , Current-Driven Analog Isolator With Transistor Output datasheet | PDF | HTML | 04 Mai 2026 |
Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.
| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| SOIC (DFG) | 4 | Ultra Librarian |
Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.
Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.
Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support.