LF444

AKTIV

Vierfach-Operationsverstärker, 36 V, 1 MHz, in zu V+, JFET-Eingang

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Drop-In-Ersatz mit gegenüber dem verglichenen Baustein verbesserter Funktionalität
TLV9304 AKTIV Energieeffizienter (0,15 mA) Vierfach-Operationsverstärker, 40 V, 1 MHz Wider temperature range (-40°C to 125°C), lower noise (33 nV/√Hz), wider voltage range (4.5 V to 40 V), lower Vos (2.5 mV), and improved offset voltage drift

Produktdetails

Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 6 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 1 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Iq per channel (typ) (mA) 0.15 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 35 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 10 Input bias current (max) (pA) 50 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.014 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 4 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -5 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 6 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 1 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Iq per channel (typ) (mA) 0.15 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 35 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 10 Input bias current (max) (pA) 50 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.014 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 4 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -5 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
PDIP (N) 14 181.42 mm² 19.3 x 9.4 SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6
  • ¼ Supply Current of a LM148: 200 μA/Amplifier (max)
  • Low Input Bias Current: 50 pA (max)
  • High Gain Bandwidth: 1 MHz
  • High Slew Rate: 1 V/μs
  • Low Noise Voltage for Low Power 35 nV/√Hz
  • Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz
  • High Input Impedance: 1012Ω
  • High Gain: 50k (min)

All trademarks are the property of their respective owners.

  • ¼ Supply Current of a LM148: 200 μA/Amplifier (max)
  • Low Input Bias Current: 50 pA (max)
  • High Gain Bandwidth: 1 MHz
  • High Slew Rate: 1 V/μs
  • Low Noise Voltage for Low Power 35 nV/√Hz
  • Low Input Noise Current 0.01 pA/√Hz
  • High Input Impedance: 1012Ω
  • High Gain: 50k (min)

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The LF444 quad low power operational amplifier provides many of the same AC characteristics as the industry standard LM148 while greatly improving the DC characteristics of the LM148. The amplifier has the same bandwidth, slew rate, and gain (10 kΩ load) as the LM148 and only draws one fourth the supply current of the LM148. In addition the well matched high voltage JFET input devices of the LF444 reduce the input bias and offset currents by a factor of 10,000 over the LM148. The LF444 also has a very low equivalent input noise voltage for a low power amplifier.

The LF444 is pin compatible with the LM148 allowing an immediate 4 times reduction in power drain in many applications. The LF444 should be used wherever low power dissipation and good electrical characteristics are the major considerations.

The LF444 quad low power operational amplifier provides many of the same AC characteristics as the industry standard LM148 while greatly improving the DC characteristics of the LM148. The amplifier has the same bandwidth, slew rate, and gain (10 kΩ load) as the LM148 and only draws one fourth the supply current of the LM148. In addition the well matched high voltage JFET input devices of the LF444 reduce the input bias and offset currents by a factor of 10,000 over the LM148. The LF444 also has a very low equivalent input noise voltage for a low power amplifier.

The LF444 is pin compatible with the LM148 allowing an immediate 4 times reduction in power drain in many applications. The LF444 should be used wherever low power dissipation and good electrical characteristics are the major considerations.

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Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
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Alle anzeigen 3
Typ Titel Datum
* Data sheet LF444 Quad Low Power JFET Input Operational Amplifier datasheet (Rev. D) 27 Mär 2013
E-book The Signal e-book: A compendium of blog posts on op amp design topics 28 Mär 2017
Application note AN-447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches 02 Mai 2004

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

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PDIP (N) 14 Ultra Librarian
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