Startseite Energiemanagement Gate-Treiber Halbbrückentreiber
Startseite
Energiemanagement
Gate-Treiber
Halbbrückentreiber

LM5106

AKTIV

Halbbrücken-Gate-Treiber, 1,2 A, 1,8 A, 100 V, mit 8-V-UVLO und programmierbarer Totzeit

Jetzt bestellen
Datenblatt

LM5106

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.032 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Features Dead time control Driver configuration Dual, Single
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.032 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Features Dead time control Driver configuration Dual, Single
VSSOP (DGS) 10 14.7 mm² 3 x 4.9 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFET
  • 1.8-A Peak Output Sink Current
  • 1.2-A Peak Output Source Current
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118-V DC
  • Single TTL Compatible Input
  • Programmable Turn-On Delays (Dead-Time)
  • Enable Input Pin
  • Fast Turn-Off Propagation Delays (32 ns Typical)
  • Drives 1000 pF with 15-ns Rise and 10-ns Fall Time
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • WSON-10 (4 mm × 4 mm) and VSSOP-10 Package
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFET
  • 1.8-A Peak Output Sink Current
  • 1.2-A Peak Output Source Current
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118-V DC
  • Single TTL Compatible Input
  • Programmable Turn-On Delays (Dead-Time)
  • Enable Input Pin
  • Fast Turn-Off Propagation Delays (32 ns Typical)
  • Drives 1000 pF with 15-ns Rise and 10-ns Fall Time
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • WSON-10 (4 mm × 4 mm) and VSSOP-10 Package

The LM5106 is a high voltage gate driver designed to drive both the high side and low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or half bridge configuration. The floating high side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The single control input is compatible with TTL signal levels and a single external resistor programs the switching transition dead-time through tightly matched turn-on delay circuits. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and provides clean output transitions. Under-voltage lockout disables the gate driver when either the low side or the bootstrapped high side supply voltage is below the operating threshold. The LM5106 is offered in the VSSOP-10 or thermally enhanced 10-pin WSON plastic package.

The LM5106 is a high voltage gate driver designed to drive both the high side and low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or half bridge configuration. The floating high side driver is capable of working with rail voltages up to 100V. The single control input is compatible with TTL signal levels and a single external resistor programs the switching transition dead-time through tightly matched turn-on delay circuits. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and provides clean output transitions. Under-voltage lockout disables the gate driver when either the low side or the bootstrapped high side supply voltage is below the operating threshold. The LM5106 is offered in the VSSOP-10 or thermally enhanced 10-pin WSON plastic package.
open-in-new Andere Halbbrückentreiber suchen
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

open-in-new Alternativen vergleichen
Gleiche Funktionalität, gleiche Pinbelegung wie verglichener Baustein
LM5105 AKTIV Halbbrücken-Gate-Treiber, 1,8 A, 1,6 A, 100 V, mit 8-V-UVLO und programmierbarer Totzeit This product has the same functionality and pinout with stronger sink current than source current.
Gleiche Funktionalität, andere Pinbelegung als verglichener Baustein
LM5102 AKTIV Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V mit 8 V UVLO und programmierbarer Verzögerung This product is a high voltage half-bridge gate driver with programmable delay.
LM5104 AKTIV Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V mit 8 V UVLO und adaptiver Verzögerung This product is a high voltage half-bridge gate driver with adaptive delay.

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 5
Typ Titel Datum
* Data sheet LM5106 100-V Half-Bridge Gate Driver With Programmable Dead-Time datasheet (Rev. D) PDF | HTML 15 Dez 2014
Application note Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate-Drive Current Boosting (Rev. A) PDF | HTML 17 Feb 2022
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28 Feb 2020
More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 29 Okt 2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Simulationsmodell

LM5106 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNVM167C.ZIP (45 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

LM5106 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. B)

SNVM382B.TSC (577 KB) - TINA-TI Reference Design
Herunterladen
Simulationsmodell

LM5106 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNVM381A.ZIP (11 KB) - TINA-TI Spice Model
Herunterladen
Simulationsmodell

LM5106 Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. A)

SNVMAC8A.ZIP (2 KB) - PSpice Model
Herunterladen
Berechnungstool

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Halbbrückentreiber
LM25101 — Halbbrücken-Gate-Treiber für 3 A, 2 A oder 1 A mit 8-V-UVLO- und TTL-Eingängen LM5100A — Halbbrücken-Gate-Treiber, 3 A, 100 V, mit 8 V UVLO und CMOS-Eingängen LM5100B — Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V, mit 8 V UVLO und CMOS-Eingängen LM5100C — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1 A, 100 V, mit 8 V UVLO und CMOS-Eingängen LM5101 — Hochspannungs-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber LM5101A — Halbbrücken-Gate-Treiber, 3 A, 100 V, mit 8 V UVLO und TTL-Eingängen LM5101B — Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V, mit 8 V UVLO und TTL-Eingängen LM5101C — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1 A, 100 V, mit 8 V UVLO und TTL-Eingängen LM5102 — Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V mit 8 V UVLO und programmierbarer Verzögerung LM5104 — Halbbrücken-Gate-Treiber, 2 A, 100 V mit 8 V UVLO und adaptiver Verzögerung LM5106 — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1,2 A, 1,8 A, 100 V, mit 8-V-UVLO und programmierbarer Totzeit LM5107 — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1,4 A, 100 V, mit 8-V-UVLO LM5108 — Halbbrückentreiber mit 2,6 A, 110 V, Aktivierung und Verriegelung LM5109A — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1 A, 100 V, mit 8-V-UVLO LM5109B — Halbbrücken-Gate-Treiber 1 A, 100 V, mit 8 V UVLO und hoher Rauschunempfindlichkeit
Herunterladen
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

PSpice® für TI ist eine Design- und Simulationsumgebung, welche Sie dabei unterstützt, die Funktionalität analoger Schaltungen zu evaluieren. Diese voll ausgestattete Design- und Simulationssuite verwendet eine analoge Analyse-Engine von Cadence®. PSpice für TI ist kostenlos erhältlich und (...)
Anfordern
Referenzdesigns

PMP40182 — Bi-direktionale Batterie-Initialisierungssystem-Leistungsplatine – Referenzdesign

This reference design is a battery initialization reference design solution for automotive and battery applications. The module enables a high efficiency single stage conversion for charging and discharging the battery. This design features a 0.1% accurate current control loop using the high (...)
Test report: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins Herunterladen
VSSOP (DGS) 10 Optionen anzeigen
WSON (DPR) 10 Optionen anzeigen
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos