The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.
Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.
Das LM2105-Evaluierungsmodul (EVM) ist eine Plattform zur Evaluierung der Leistung des LM2105. Der LM2105 ist ein High-/Low-Side-Treiber mit 105 V Boot-Spannung, 0,5 A Spitzen-Quellstrom und 0,8 A Senkenstrom zur Ansteuerung von zwei N-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs). (...)
The purpose of this design is to demonstrate digital power control using a C2000™ microcontroller and evaluate the powerSUITE Digital Power software tools. The design consists of two separate boards:
| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (NGT) | 8 | Ultra Librarian |
Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.
Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.
Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support.