Eine neuere Version dieses Produkts ist verfügbar

Drop-In-Ersatz mit gegenüber dem verglichenen Baustein verbesserter Funktionalität
TPD4E05U06 AKTIV Vierfache 0,5 pF, 5,5 V, ±12 kV-ESD-Schutzdiode für USB-, HDMI- und Highspeed-Schnittstellen Lower capacitance and clamping voltage intended for use on high speed data lines

Produktdetails

Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name DFN2510 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 25 IO capacitance (typ) (pF) 0.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 20 Dynamic resistance (typ) 1.1 Interface type Ethernet, HDMI 1.4/1.3, LVDS, SATA/PCIe, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 9 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name DFN2510 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 25 IO capacitance (typ) (pF) 0.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 20 Dynamic resistance (typ) 1.1 Interface type Ethernet, HDMI 1.4/1.3, LVDS, SATA/PCIe, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 9 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
USON (DQA) 10 2.5 mm² 2.5 x 1
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
    • ±8-kV Contact Discharge
  • IEC 61000-4-5 Surge Protection
    • 2.5A (8/20µs)
  • I/O Capacitance: 0.8 pF (Typical)
  • Low Leakage Current: 10 nA (Typical)
  • Supports High-Speed Differential Data Rates
    (3-dB Bandwidth > 4 GHz)
  • Ultra-low Matching Capacitance Between
    Differential Signal Pairs
  • Ioff Feature for the TPD4S009
  • Industrial Temperature Range:
    –40°C to 85°C
  • Easy Straight through Routing, Space-Saving
    Package Options
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
    • ±8-kV Contact Discharge
  • IEC 61000-4-5 Surge Protection
    • 2.5A (8/20µs)
  • I/O Capacitance: 0.8 pF (Typical)
  • Low Leakage Current: 10 nA (Typical)
  • Supports High-Speed Differential Data Rates
    (3-dB Bandwidth > 4 GHz)
  • Ultra-low Matching Capacitance Between
    Differential Signal Pairs
  • Ioff Feature for the TPD4S009
  • Industrial Temperature Range:
    –40°C to 85°C
  • Easy Straight through Routing, Space-Saving
    Package Options

The TPD4S009 and TPD4S010 are four-channel TVS diode arrays for electrostatic discharge (ESD) protection. TPD4S009 and TPD4S010 are rated to dissipate contact ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4), with ±8-kV contact discharge ESD protection. The low capacitance (0.8-pF) of these devices, coupled with the excellent matching between differential signal pairs (0.05-pF line-line capacitance for the TPD4S009DRY) enables this device to provide transient voltage suppression circuit protection for high-speed differential data rates (3-dB bandwidth > 4 GHz).

The TPD4S009 is offered in DBV, DCK, DGS, and DRY packages. The TPD4S009DRYR is the most space saving package option available for dual pair high-speed differential lines. The TPD4S010 is offered in the industry standard DQA package. The TPD4S009DGSR and TPD4S010DQAR offer flow-through board layout options to reduce signal glitches normally caused by routing mismatches between the D+ and D– signal pair. See also TPD4E05U06DQAR which is P2P compatible with TPD4S010DQAR. This device offers higher IEC ESD protection, lower capacitance, lower RDYN, lower DC breakdown voltage, and lower clamping voltage.

The TPD4S009 and TPD4S010 are four-channel TVS diode arrays for electrostatic discharge (ESD) protection. TPD4S009 and TPD4S010 are rated to dissipate contact ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4), with ±8-kV contact discharge ESD protection. The low capacitance (0.8-pF) of these devices, coupled with the excellent matching between differential signal pairs (0.05-pF line-line capacitance for the TPD4S009DRY) enables this device to provide transient voltage suppression circuit protection for high-speed differential data rates (3-dB bandwidth > 4 GHz).

The TPD4S009 is offered in DBV, DCK, DGS, and DRY packages. The TPD4S009DRYR is the most space saving package option available for dual pair high-speed differential lines. The TPD4S010 is offered in the industry standard DQA package. The TPD4S009DGSR and TPD4S010DQAR offer flow-through board layout options to reduce signal glitches normally caused by routing mismatches between the D+ and D– signal pair. See also TPD4E05U06DQAR which is P2P compatible with TPD4S010DQAR. This device offers higher IEC ESD protection, lower capacitance, lower RDYN, lower DC breakdown voltage, and lower clamping voltage.

Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 6
Typ Titel Datum
* Data sheet TPD4S009 4-Channel ESD Solution for High-Speed Differential Interface datasheet (Rev. G) PDF | HTML 26 Jun 2015
Selection guide System-Level ESD Protection Guide (Rev. E) 05 Aug 2025
User guide Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) PDF | HTML 19 Sep 2023
Application note ESD Protection Layout Guide (Rev. A) PDF | HTML 07 Apr 2022
White paper Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 10 Feb 2016
Analog Design Journal Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection 25 Sep 2012

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH-Evaluierungsmodul, dreiphasiger bürstenloser DC-Smart-Gate-Treiber

Das DRV8353RH-EVM ist eine 3-phasige, bürstenlose DC-Antriebsstufe mit 15 A, die auf dem DRV8353RH -Gate-Treiber für CSD19532Q5B-NexFET™-MOSFETs basiert.

Das Modul verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung sowie einzelne Low-Side-Strom-Shunt-Verstärker, wodurch sich dieses (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Evaluierungsplatine

DRV8353RS-EVM — DRV8353RS Evaluierungsmodul, dreiphasiger bürstenloser DC-Smart-Gate-Treiber 

Das DRV8353RS-EVM ist eine 3-phasige, bürstenlose DC-Antriebsstufe mit 15 A, der auf dem DRV8353RS-Gate-Treiber für CSD19532Q5B-NexFET™-MOSFETs basiert.

Das Modul verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung sowie einzelne Low-Side-Strom-Shunt-Verstärker, wodurch sich dieses (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Evaluierungsplatine

ESDEVM — Universelles Evaluierungsmodul für ESD-Diodengehäuse, einschließlich 0402, 0201 und andere

Das Evaluierungsmodul für elektrostatisch empfindliche Bausteine (ESD) ist eine Entwicklungsplattform für die meisten unserer ESD-Produkte. Die Platine wird mit allen herkömmlichen ESD-Footprints geliefert, um eine beliebige Anzahl von Bausteinen zu testen. Bukönnen auf ihre jeweiligen Abmessung (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
USON (DQA) 10 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos