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CSD18514Q5A

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm

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Detalles del producto

VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 QG (typ) (nC) 29 QGD (typ) (nC) 5 QGS (typ) (nC) 6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 QG (typ) (nC) 29 QGD (typ) (nC) 5 QGS (typ) (nC) 6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • Low RDS(ON)
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Logic Level
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Low RDS(ON)
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Logic Level
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 4.1-mΩ, SON 5-mm × 6-mm, 40-V NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 4.1-mΩ, SON 5-mm × 6-mm, 40-V NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
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Documentación técnica

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* Hoja de datos CSD18514Q5A 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 18/01/2017
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31/10/2025
Nota sobre la aplicación MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27/10/2025
Nota sobre la aplicación Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25/03/2024
Nota sobre la aplicación Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18/12/2023
Nota sobre la aplicación QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 6/12/2023
Nota sobre la aplicación Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13/03/2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31/05/2022
Nota sobre la aplicación Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16/11/2011

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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Modelo de simulación

CSD18514Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM327B.ZIP (4 KB) - Modelo PSpice
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Herramienta de cálculo

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — Herramienta de cálculo de pérdidas de potencia para el rectificador síncrono

Calculadora de pérdida de potencia MOSFET para aplicaciones de rectificador sincrónico

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Diseño de referencia

PMP40569 — Diseño de referencia de retorno aislado con entrada CC de 36 V~57 V, salida de 5 V/4 A y rectificaci

Este diseño de referencia es un convertidor flyback aislado con entrada de CC de 36~57-Vdc y salida de 5-V/4-A que utiliza LM5155 y UCC24612. La frecuencia de conmutación es de 250 kHz. Con el controlador de rectificación sincrónica UCC24612 y un MOSFET en el lado secundario, el sistema logra una (...)
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TIDA-010031 — Diseño de referencia de control del motor de CC sin escobillas sin sensor de alta velocidad (> 100 k

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VSONP (DQJ) 8 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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