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CSD19505KCS

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, TO-220 simple, 3,1 mOhm

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CSD19505KCS

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Detalles del producto

VDS (V) 80 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.1 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 QG (typ) (nC) 76 QGD (typ) (nC) 11 QGS (typ) (nC) 25 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 208 ID - package limited (A) 150 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
VDS (V) 80 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.1 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 QG (typ) (nC) 76 QGD (typ) (nC) 11 QGS (typ) (nC) 25 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 208 ID - package limited (A) 150 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
TO-220 (KCS) 3 46.228 mm² (10.16 mm × 4.55 mm)
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Pb-free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen Free
  • TO-220 plastic package
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Pb-free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen Free
  • TO-220 plastic package

This 80 V, 2.6 mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 80 V, 2.6 mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
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