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CSD19531KCS

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MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 7,7 mOhm

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Detalles del producto

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 7.7 VGSTH typ (typ) (V) 2.7 QG (typ) (nC) 38 QGD (typ) (nC) 7.5 QGS (typ) (nC) 11.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 110 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 7.7 VGSTH typ (typ) (V) 2.7 QG (typ) (nC) 38 QGD (typ) (nC) 7.5 QGS (typ) (nC) 11.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 110 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
TO-220 (KCS) 3 46.228 mm² (10.16 mm × 4.55 mm)
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead-free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • TO-220 plastic package
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead-free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • TO-220 plastic package

This 100V, 6.4mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 100V, 6.4mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
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* Hoja de datos CSD19531KCS 100V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. D) PDF | HTML 19/05/2024
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Nota sobre la aplicación Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16/11/2011

Diseño y desarrollo

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Pedidos y calidad

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