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LF356

ACTIVO

Amplificador operacional simple de entrada JFET, 36 V, 5 MHz, alta velocidad de subida (12 V/µs), en

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TL071H ACTIVO Amplificador operacional simple de entrada a V+, 40 V, 5 MHz, tensión de offset de 4 mV y 20 V/µs, q Wider temperature range (-40°C to 125°C), lower quiescent current (0.0937 mA), wider voltage range (4.5 V to 40 V), and improved offset voltage drift
TL081H ACTIVO Amplificador operacional simple de entrada a V+, 40 V, 5.25 MHz, tensión de offset de 4 mV y 20 V/µs Wider supply range (4.5 V to 40 V), higher GBW (5.25 MHz), faster slew rate (20 V/us), lower offset voltage (4 mV), lower power (0.9375 mA)

LF356

ACTIVO
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Detalles del producto

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 Input bias current (max) (pA) 8000 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 Input bias current (max) (pA) 8000 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
PDIP (P) 8 92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • Advantages
    • Replace Expensive Hybrid and Module FET
      Op Amps
    • Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling
      Compared With MOSFET Input Devices
    • Excellent for Low Noise Applications Using
      Either High or Low Source Impedance–Very
      Low 1/f Corner
    • Offset Adjust Does Not Degrade Drift or
      Common-Mode Rejection as in Most
      Monolithic Amplifiers
    • New Output Stage Allows Use of Large
      Capacitive Loads (5,000 pF) Without Stability
      Problems
    • Internal Compensation and Large Differential
      Input Voltage Capability
  • Common Features
    • Low Input Bias Current: 30 pA
    • Low Input Offset Current: 3 pA
    • High Input Impedance: 1012 Ω
    • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
    • High Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB
    • Large DC Voltage Gain: 106 dB
  • Uncommon Features
    • Extremely Fast Settling Time to 0.01%:
      • 4 µs for the LFx55 devices
      • 1.5 µs for the LFx56
      • 1.5 µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Fast Slew Rate:
      • 5 V/µs for the LFx55
      • 12 V/µs for the LFx56
      • 50 V/µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Wide Gain Bandwidth:
      • 2.5 MHz for the LFx55 devices
      • 5 MHz for the LFx56
      • 20 MHz for the LFx57 (AV = 5)
    • Low Input Noise Voltage:
      • 20 nV/√Hz for the LFx55
      • 12 nV/√Hz for the LFx56
      • 12 nV/√Hz for the LFx57 (AV = 5)
  • Advantages
    • Replace Expensive Hybrid and Module FET
      Op Amps
    • Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling
      Compared With MOSFET Input Devices
    • Excellent for Low Noise Applications Using
      Either High or Low Source Impedance–Very
      Low 1/f Corner
    • Offset Adjust Does Not Degrade Drift or
      Common-Mode Rejection as in Most
      Monolithic Amplifiers
    • New Output Stage Allows Use of Large
      Capacitive Loads (5,000 pF) Without Stability
      Problems
    • Internal Compensation and Large Differential
      Input Voltage Capability
  • Common Features
    • Low Input Bias Current: 30 pA
    • Low Input Offset Current: 3 pA
    • High Input Impedance: 1012 Ω
    • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
    • High Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB
    • Large DC Voltage Gain: 106 dB
  • Uncommon Features
    • Extremely Fast Settling Time to 0.01%:
      • 4 µs for the LFx55 devices
      • 1.5 µs for the LFx56
      • 1.5 µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Fast Slew Rate:
      • 5 V/µs for the LFx55
      • 12 V/µs for the LFx56
      • 50 V/µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Wide Gain Bandwidth:
      • 2.5 MHz for the LFx55 devices
      • 5 MHz for the LFx56
      • 20 MHz for the LFx57 (AV = 5)
    • Low Input Noise Voltage:
      • 20 nV/√Hz for the LFx55
      • 12 nV/√Hz for the LFx56
      • 12 nV/√Hz for the LFx57 (AV = 5)

The LFx5x devices are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well-matched, high-voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET™ Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust, which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.

The LFx5x devices are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well-matched, high-voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET™ Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust, which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.
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Documentación técnica

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* Hoja de datos LFx5x JFET Input Operational Amplifiers datasheet (Rev. D) PDF | HTML 30/11/2015
Libro electrónico The Signal e-book: A compendium of blog posts on op amp design topics PDF | HTML 28/03/2017
Nota sobre la aplicación AN-272 Op Amp Booster Designs (Rev. B) 23/04/2013
Nota sobre la aplicación Effect of Heavy Loads on Accuracy and Linearity of Op Amp Circuits (Rev. B) 22/04/2013
Nota sobre la aplicación AN-263 Sine Wave Generation Techniques (Rev. C) 22/04/2013
Nota sobre la aplicación Data Acq Using ADC0816 & ADC0817 8-Bit ADC w/On-Chip 16 Chan Multiplexr 10/05/2004
Nota sobre la aplicación AN-293 Control Applications of CMOS DACs 10/05/2004
Nota sobre la aplicación AN-447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches 2/05/2004
Nota sobre la aplicación AN-253 LH0024 and LH0032 High Speed Op Amp Applications 2/05/2004
Nota sobre la aplicación AN-275 CMOS D/A Converters Match Most Microprocessors 2/05/2004
Nota sobre la aplicación Get Fast Stable Response From Improved Unity-Gain Followers 2/10/2002

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

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??asset.out-of-stock-ti_es_MX??
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Modelo de simulación

LF356 PSPICE Model

SNOM255.ZIP (1 KB) - Modelo PSpice
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PDIP (P) 8 Ultra Librarian
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