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LMG1025-Q1

ACTIVO

Control. autom. de lado bajo y canal único, 7 A/5 A, con UVLO de 5 V p. aplicaciones de pulsos estre

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LMG1025-Q1

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Detalles del producto

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
WSON (DEE) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm) WSON (DRV) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25ns typical minimum input pulse width
  • 2.6ns typical rising propagation delay
  • 2.9ns typical falling propagation delay
  • 300ps typical pulse distortion
  • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current
  • 650ps typical rise time (220pF load)
  • 850ps typical fall time (220pF load)
  • 2mm x 2mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5V supply voltage
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25ns typical minimum input pulse width
  • 2.6ns typical rising propagation delay
  • 2.9ns typical falling propagation delay
  • 300ps typical pulse distortion
  • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current
  • 650ps typical rise time (220pF load)
  • 850ps typical fall time (220pF load)
  • 2mm x 2mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5V supply voltage

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.
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* Hoja de datos LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications datasheet (Rev. C) PDF | HTML 6/12/2024
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Application brief GaN Driver Schematic and Layout Recommendations PDF | HTML 10/08/2022
Application brief Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors PDF | HTML 4/08/2022
Application brief Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs PDF | HTML 4/08/2022
Application brief How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies PDF | HTML 2/08/2022
Información sobre seguridad funcional LMG1025-Q1 FIT, FMD, and Pin FMA PDF | HTML 24/06/2022
Nota sobre la aplicación Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver PDF | HTML 10/11/2021
Certificado LMG1025-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 16/09/2020
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28/02/2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28/02/2020
Nota sobre la aplicación GaN Gate Driver Layout Help 23/05/2019
Application brief How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 18/01/2019
Application brief Enable Function with Unused Differential Input 11/07/2018
Application brief Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole 16/03/2018
Informe A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 2/03/2015

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

LMG1020EVM-006 — Módulo de evaluación LMG1020 de controlador de lado bajo GaN + GaN FET LiDAR

El LMG1020EVM-006 es una etapa de potencia pequeña y fácil de usar para el accionador de láser LIDAR. El EVM incluye una carga resistiva integrada (láser no incluido) y toma una entrada de pulso corto que se puede almacenar con búfer (y acortar más) o pasar directamente a la etapa de potencia. El (...)
Guía del usuario: PDF | HTML
Productos y hardware compatibles
En inventario
Límite:
??asset.out-of-stock-ti_es_MX??
No disponible
Placa de evaluación

LMG1025-Q1EVM — Módulo de evaluación LMG1025-Q1 de controlador de lado bajo GaN y GaN FET LiDAR

El LMG1025-Q1EVM es una etapa de potencia pequeña y fácil de usar con carga resistente integrada (láser no incluido). Se necesita una entrada de pulso corto que se puede almacenar en búfer (y acortar aún más) o pasar directamente a la etapa de potencia.
Guía del usuario: PDF
Productos y hardware compatibles
En inventario
Límite:
??asset.out-of-stock-ti_es_MX??
No disponible
Modelo de simulación

LMG1020 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM618C.ZIP (1575 KB) - Modelo PSpice
Productos y hardware compatibles
Modelo de simulación

LMG1020 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM620A.ZIP (43 KB) - Modelo TINA-TI Spice
Productos y hardware compatibles
Herramienta de cálculo

SLURB15 — LMG1025-Q1 Schematic Review Template

Productos y hardware compatibles
Diseño de referencia

TIDA-01573 — Diseño de referencia del controlador láser de nanosegundos para LiDAR

Este diseño de referencia de distancia y rango de luz (LiDAR) muestra los controladores de compuertas de lado bajo LMG1020 y LMG1025-Q1 para aplicaciones de pulso estrecho. Estos dispositivos son capaces de accionar un FET para producir pulsos ópticos láser <1.5 ns superiores a 100 W.
Productos y hardware compatibles
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
WSON (DEE) 6 Ultra Librarian
WSON (DRV) 6 Ultra Librarian
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