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Amplificadores totalmente diferenciales (FDA) de RF

TRF0208-SEP

ACTIVO

Amplificador de RF totalmente diferencial, tolerante a la radiación, de casi CC a >8 GHz

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TRF0208-SEP

ACTIVO
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Detalles del producto

Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 8000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -63 OIP2 (typ) (dBm) 60 2nd harmonic (dBc) -65 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 130 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Catalog, Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (rad) 30000
Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 8000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -63 OIP2 (typ) (dBm) 60 2nd harmonic (dBc) -65 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 130 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Catalog, Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (rad) 30000
WQFN-FCRLF (RPV) 12 4 mm² 2 x 2
  • Vendor item drawing available, VID V62/23605
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 30krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 30krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 43MeV‑cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 43MeV‑cm2/mg
  • Space-enhanced plastic (SEP)
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA
  • Vendor item drawing available, VID V62/23605
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 30krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 30krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 43MeV‑cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 43MeV‑cm2/mg
  • Space-enhanced plastic (SEP)
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA

The TRF0208-SEP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance AFE7950-SEP or ADC12DJ5200-SEP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated in Texas Instruments’ advanced complementary BiCMOS process and is available in a space-saving, WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SEP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power saving.

The TRF0208-SEP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance AFE7950-SEP or ADC12DJ5200-SEP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated in Texas Instruments’ advanced complementary BiCMOS process and is available in a space-saving, WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SEP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power saving.
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Documentación técnica

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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
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* VID TRF0208-SEP VID TRF0208-SEP V6223605 19 may 2025
* Radiation & reliability report TRF0208-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 20 dic 2024
* Radiation & reliability report TRF0208-SEP, Near-DC to 11GHz, Fully Differential RF Amplifier Single-Event Effects (SEE) Radiation Report PDF | HTML 18 dic 2024
* Radiation & reliability report TRF0208-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report PDF | HTML 17 dic 2024
Certificate TRF0208SEP-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 12 jun 2024
Technical article Phased array antenna systems: A new paradigm for electronics in satellites (Rev. A) PDF | HTML 11 jun 2024

Diseño y desarrollo

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No disponible en TI.com
Modelo de simulación

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SBOMCN3.ZIP (5 KB) - S-Parameter Model
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SBOMCN1.ZIP (10 KB) - S-Parameter Model
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WQFN-FCRLF (RPV) 12 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

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  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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