サポート・ソフトウェア
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
CSD13383F4
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 0.6mm の LGA 封止、シングル、44mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD13383F4
- 低オン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
- 1.0mm × 0.6mm
- 薄型
- 0.36mm 高
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 > 2kV
- CDM 定格 > 2kV
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この 37mΩ、12V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
.
.
.
.
お客様が関心を持ちそうな類似品
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
技術資料
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
10 をすべて表示 | 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD13383F4 12V N チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2022年 4月 12日 |
| アプリケーション・ノート | MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2025年 11月 18日 | |
| アプリケーション概要 | パワー MOSFET のリーク電流の推定 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 11月 7日 | |
| アプリケーション・ノート | 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2025年 5月 8日 | |
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023年 12月 18日 | |||
| アプリケーション・ノート | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023年 12月 14日 | |||
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |||
| アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |||
| その他の技術資料 | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||||
| 設計ガイド | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016年 7月 7日 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
評価ボード
CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N チャネルの評価基板
FemtoFET N チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 7 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET N チャネルの異なる型番が記載されています。 ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。 7 個の FemtoFET は 12V ～ 60V の範囲の VDS (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。
ユーザー ガイド: PDF
評価ボード
TMDXICE110 — AMIC110 – 産業用通信エンジン（ICE）
AMIC110 産業用通信エンジン (ICE) は、産業用通信と産業用イーサネット向けの開発プラットフォームです。AMIC110 ICE の中核である Sitara AMIC110 SoC は ARM® Cortex™-A8 プロセッサとプログラマブル リアルタイム ユニットと産業用通信サブシステム (Programmable-Realtime Unit Industrial Communications Sub-System、PRU-ICSS) を採用しているため、ASIC や FPGA なしでリアルタイム産業プロトコルを統合できます。BoosterPack™ プラグイン モジュール (...)
ユーザー ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール
FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool
Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン
TIDA-00299 — EtherCATスレーブとマルチプロトコル産業用イーサネットのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、EMC 耐性が高いコスト最適化済みの EtherCAT スレーブ (デュアル ポート) を実装しているほか、アプリケーション プロセッサ向けの SPI インターフェイスを搭載しています。このハードウェア設計は、AMIC110 産業用通信プロセッサを使用しており、マルチプロトコルの産業用イーサネットとフィールド バスをサポートすることができます。このデザインは、5V 単一電源電圧で動作します。1 個の PMIC を使用して、必要なオンボード レールをすべて生成します。EtherCAT スレーブ スタックは、AMIC110 上、またはシリアル ペリフェラル (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブ拠点
- アセンブリ拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。