CSD13383F4
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 0.6mm の LGA 封止、シングル、44mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
CSD13383F4
- 低オン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
- 1.0mm × 0.6mm
- 薄型
- 0.36mm 高
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 > 2kV
- CDM 定格 > 2kV
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この 37mΩ、12V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
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技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
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設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
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購入と品質
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