CSD17501Q5A

アクティブ

5mm x 6mm のシングル SON 封止、2.9mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.7 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 187 QG typ (nC) 13.2 QGD typ (nC) 3.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.7 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 187 QG typ (nC) 13.2 QGD typ (nC) 3.5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom,
      and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

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The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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技術資料

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設計および開発

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SLPC019.ZIP (338 KB)
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SLPM016A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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SLPM203.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
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購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

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