CSD85301Q2

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、2mm x 2mm のデュアル SON 封止、27mΩ、20V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 20 Configuration Dual Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 27 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 26 QG typ (nC) 4.2 QGD typ (nC) 1 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes
VDS (V) 20 Configuration Dual Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 27 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 26 QG typ (nC) 4.2 QGD typ (nC) 1 Package (mm) SON2x2 VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD85301Q2 is a 20 V, 23 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 × 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.

The CSD85301Q2 is a 20 V, 23 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 × 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.

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技術資料

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* データシート CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs データシート PDF | HTML 2014年 12月 17日
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技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計および開発

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シミュレーション・モデル

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パッケージ ピン数 ダウンロード
(DQK) 6 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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