CSD87502Q2
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、2mm x 2mm のデュアル SON、42mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD87502Q2
- Low On-Resistance
- Dual Independent MOSFETs
- Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
- Optimized for 5 V Gate Driver
- Avalanche Rated
- Pb and Halogen Free
- RoHS Compliant
The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.
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技術資料
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD87502Q2 30 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs データシート | PDF | HTML | 2015/12/16 | ||
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設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| WSON (DLV) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
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