DRV3245Q-Q1
- 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：
- デバイス温度グレード 1：–40℃～+125℃、TA
-
機能安全準拠
- 機能安全アプリケーション向けに開発
- ASIL D までの ISO 26262 システム設計を支援するドキュメントを提供
- ASIL D までの決定論的対応能力
- 4.5V～45V の動作電圧
- 最大 1A のピーク ゲート ドライブ電流をプログラム可能
- チャージ ポンプ ゲート ドライバによる 100% デューティ サイクル
- 電流シャント アンプと位相コンパレータ
- A/C デバイス：3 つの電流シャント アンプ(1) と 3 相コンパレータ、SPI (1)
- B デバイス：2 つの電流シャント アンプとデジタル ピンによるリアルタイム モニタ付きの 3 相コンパレータ
- S デバイス：3 つの電流シャント アンプ
- 最高 20 kHz の 3-PWM または 6-PWM 入力制御
- 単一 PWM モード整流機能
- 3.3V と 5V の両方のデジタル インターフェイスをサポート
- シリアル ペリフェラル インターフェイス (SPI)
- 熱特性が強化された 48 ピン HTQFP
- 保護機能：
- 内蔵レギュレータ、バッテリ電圧モニタ
- SPI の CRC
- クロック モニタ
- アナログ組み込み自己テスト
- プログラム可能なデッド タイム制御
- MOSFET 貫通電流防止
- MOSFET VDS 過電流監視
- ゲート ソース電圧のリアルタイム監視
- 過熱警告およびシャットダウン
(1)C デバイス経由のステータス付き：低ドリフト、オフセット、高精度アンプ
DRV3245Q-Q1 デバイスは、3 相モータ・ドライブ・アプリケーション用の FET ゲート・ドライバ IC ですISO 26262 の機能安全性アプリケーションの該当する要件に従って設計されています。このデバイスには 3 つのハーフ・ブリッジ・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドの N チャネルMOSFET を駆動でき、同時に FET の洗練された保護および監視機能を備えています。チャージ・ポンプ・ドライバにより 100% のデューティ・サイクルが可能になり、コールド・クランク動作時に低いバッテリ電圧をサポートします。電流センス・アンプの統合、内蔵位相コンパレータ、ドライバおよびそのペリフェラルの SPI ベースの構成により、ほとんどの外付け受動部品が不要になるため、部品表 (BOM) とプリント基板 (PCB) 面積を削減できます。
また、DRV3245Q-Q1 デバイスには各内部ブロックの診断および保護機能が搭載されており、一般的なシステム診断チェックがサポートされています。これらの各診断機能は SPI から開始でき、SPI 経由で報告されます。これらの内蔵機能の柔軟性から、このデバイスは広範な安全性アーキテクチャとシームレスに統合できます。
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技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | DRV3245Q-Q1 高性能センシング、保護、診断機能付き、の 3 相車載用ゲート ドライバ ユニット (GDU) データシート (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2024/08/08 |
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| アプリケーション概要 | Designing High-Side and 3-Phase Isolator MOSFET Circuits in Motor Apps | 2018/05/09 | ||||
| 機能安全情報 | Analog components advance functional safety development for automotive applicati | 2017/01/20 |
設計と開発
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評価ボード
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